SDM1U100S1F-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SDM1U100S1F-7

商品编码: BM0000086299
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD123F
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 770mV@1A 100V 150nA@100V 1A SOD-123F
库存 :
1591(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.853
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.853
--
200+
¥0.589
--
1500+
¥0.534
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SDM1U100S1F-7参数

二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)770mV @ 1A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏150nA @ 100V
不同 Vr、F 时电容42pF @ 4V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123F供应商器件封装SOD-123F
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

SDM1U100S1F-7手册

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SDM1U100S1F-7概述

产品概述:SDM1U100S1F-7肖特基二极管

一、产品简介

SDM1U100S1F-7是一款高性能的肖特基二极管,由知名品牌DIODES(美台)生产。作为一种表面贴装型元器件,该二极管在电气性能与环境适应性上均表现出色,适合多种电子应用场景。其主要参数包括最大反向电压100V、平均整流电流1A、正向电压770mV以及极低的反向泄漏电流150nA,适合要求高频与低功耗特性的电路设计。

二、关键技术参数

  1. 类型:肖特基二极管
  2. 最大反向电压 (Vr):100V
  3. 平均整流电流 (Io):1A
  4. 正向电压 (Vf):770mV @ 1A
  5. 反向泄漏电流:150nA @ 100V
  6. 电容值:42pF @ 4V,1MHz
  7. 恢复速度:快速恢复 ≤ 500ns,对于大于200mA的整流电流
  8. 安装类型:表面贴装型(SMD)
  9. 封装:SOD-123F
  10. 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

三、性能优势

  1. 低正向电压降:770mV的低正向电压使得SDM1U100S1F-7在高电流条件下表现出色,能有效减少能量损耗,提升整体电路效率,这在低功耗设备和电源管理应用中尤为重要。

  2. 极低的反向泄漏电流:150nA的反向泄漏电流意味着在高反向电压下,二极管不会引起显著的功耗。此特性尤其适用于电池供电的设备,有助于延长电池使用寿命。

  3. 快速恢复特性:其快速恢复能力允许在高频开关应用中有效工作,如DC-DC转换器和开关电源,增强了电路的响应速度与稳定性。

  4. 宽广的工作温度范围:该二极管的工作温度范围为-55°C至175°C,能够在极端温度环境中稳定运行,适用于各种工业和汽车电子应用。

  5. 小型化设计:采用SOD-123F封装形式,小体积有助于电路板的空间优化,特别适合于现代微型化电子产品的设计需求。

四、应用领域

SDM1U100S1F-7肖特基二极管广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:适用于开关电源、DC-DC转换器等,通过低正向电压的特性提升转换效率。
  2. 汽车电子:可用于汽车电源系统,例如电池充电管理和电机驱动,增强系统的可靠性。
  3. 通信设备:在移动通信、网络设备中,可用于信号整流与检测电路,确保信号的完整性。
  4. 消费类电子:广泛应用于智能手机、平板电脑及其他便携式设备中,用于优化功率管理。
  5. 工业控制:可用于传感器与执行器的驱动电路,确保信号的快速传输与处理。

五、总结

SDM1U100S1F-7肖特基二极管集低正向电压、极低反向泄漏、高速恢复和广泛的工作温度范围于一体,是一款性能卓越、应用广泛的电子元器件。其出色的特性使得它非常适合当今快速发展的电子市场,能够满足各种高效能和低功耗的需求。在设计选型时,SDM1U100S1F-7无疑是电子工程师的理想选择。