FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 280 毫欧 @ 3.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 190µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 761pF @ 400V |
功率耗散(最大值) | 53W(Tc) | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IPD60R280P7SAUMA1是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其具有优异的电气性能和广泛的应用潜力。该MOSFET的封装类型为TO-252-3(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),为现代电子设备提供更紧凑的设计选项。
IPD60R280P7SAUMA1可广泛应用于各类高性能的电子设备中,主要包括但不限于:
总的来说,IPD60R280P7SAUMA1是一款高性能、高可靠性的N通道MOSFET,凭借其600V的电压承受能力、12A的连续电流、低导通电阻和高效率特性,成为了现代电子设计中的一个重要元件。其广泛的应用范围和卓越的技术规格,确保了在各类高功率和高效能的电子产品中的核心地位。选择IPD60R280P7SAUMA1,能够为您的产品实现更高的性能和更好的可靠性。