IPD60R280P7SAUMA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPD60R280P7SAUMA1

商品编码: BM0000081009
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 53W 600V 12A 1个N沟道 TO-252-3
库存 :
197(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
4.35
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.35
--
100+
¥3.63
--
1250+
¥3.3
--
2500+
¥3.05
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

IPD60R280P7SAUMA1参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)280 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 190µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)18nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)761pF @ 400V
功率耗散(最大值)53W(Tc)工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IPD60R280P7SAUMA1手册

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无数据

IPD60R280P7SAUMA1概述

产品概述:IPD60R280P7SAUMA1

一、基本信息

IPD60R280P7SAUMA1是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其具有优异的电气性能和广泛的应用潜力。该MOSFET的封装类型为TO-252-3(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),为现代电子设备提供更紧凑的设计选项。

二、技术规格

  • 漏源电压(V_ds): 600V
  • 连续漏极电流(I_d @ 25°C): 12A
  • 导通电阻(R_ds(on): 最大280毫欧(在3.8A、10V时测得)
  • 驱动电压(V_gs): 较佳的驱动电压为10V,其最大值达±20V
  • 门极阈值电压(V_gs(th): 最大4V(在190µA时测得)
  • 栅极电荷(Q_g): 最大18nC(在10V时测得)
  • 输入电容(C_iss): 最大761pF(在400V时测得)
  • 功率耗散: 最大53W(在Tc情况下)
  • 工作温度范围: -40°C 到 150°C
  • 封装类型: DPAK,PG-TO252-3,符合SC-63标准

三、产品特性

  1. 高电压和高电流能力: 该MOSFET设计用于高电压(最大600V)和高电流(12A)应用,可以满足电源转换、逆变器及其他高功率设备的需求。
  2. 低导通电阻: 通过优化的工艺技术,使得该MOSFET在低电流状态下的导通电阻极低,降低了功耗和热量生成,提高了整体系统的效率。
  3. 高工作温度: 支持在-40°C到150°C的广泛温度范围,使其适合用于恶劣环境的工业和汽车应用。
  4. 超低栅极电荷: 轻松与各种驱动电路兼容,降低了开关损耗,提高了频率响应,有助于实现高效的开关电源设计。

四、应用领域

IPD60R280P7SAUMA1可广泛应用于各类高性能的电子设备中,主要包括但不限于:

  • 开关电源: 在高频开关电源中用作主开关元件,以提高效率和性能。
  • 电动机驱动: 用于电动机控制系统中,能够高效转换和控制电流。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等电源管理设备中实现高效能量转换。
  • 电动汽车: 适用于电动汽车的电源管理和驱动控制系统,以满足高功率和高稳定性的需求。

五、总结

总的来说,IPD60R280P7SAUMA1是一款高性能、高可靠性的N通道MOSFET,凭借其600V的电压承受能力、12A的连续电流、低导通电阻和高效率特性,成为了现代电子设计中的一个重要元件。其广泛的应用范围和卓越的技术规格,确保了在各类高功率和高效能的电子产品中的核心地位。选择IPD60R280P7SAUMA1,能够为您的产品实现更高的性能和更好的可靠性。