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IRFR24N15DTRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.4g
描述 :
场效应管(MOSFET) 140W 150V 24A 1个N沟道 DPAK
库存 :
93(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
3.55按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.55
--
100+
￥2.95
--
1000+
￥2.69
--
2000+
￥2.49
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR24N15DTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR24N15DTRPBF手册
无数据
IRFR24N15DTRPBF概述
产品概述：IRFR24N15DTRPBF N通道MOSFET
引言
在现代电子设计中，选择合适的功率开关器件至关重要，尤其是在高压和高电流应用场合。IRFR24N15DTRPBF是一款由知名品牌英飞凌（Infineon）生产的N通道MOSFET，具有出色的电气性能和广泛的工作温度范围。本产品适用于各种应用场合，包括电源管理、DC-DC转换、马达驱动等，是功率电子领域的一项理想选择。
规格参数
IRFR24N15DTRPBF MOSFET具备以下核心参数：
- FET类型: N通道
- 技术: 金属氧化物场效应管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）: 150V，能够在高电压环境下稳定工作
- 连续漏极电流（Id）: 24A，适合大电流需求的应用
- 驱动电压: 10V下，实现最小的导通电阻（Rds On），保证高效率的运行
- 导通电阻: 在14A电流和10V驱动下，最大导通电阻仅为95毫欧，降低了功耗和热量产生
- 门极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值5V@250µA，适应多种电路设计需要
- 栅极电荷（Qg）: 在10V驱动下，最大值为45nC，降低了驱动开关频率时的功耗
- 输入电容（Ciss）: 890pF@25V，提供较好的频率响应
- 功率耗散（最大值）: 140W，适应高功率负载
- 工作温度范围: -55°C至175°C，适合严酷环境下的工作
- 安装类型: 表面贴装型，简化PCB设计和生产过程
- 封装类型: D-Pak (TO-252-3)，提供良好的热性能和可靠性
应用领域
IRFR24N15DTRPBF因其卓越的性能而适用于众多应用，包括：
- 电源管理系统: 适用于开关电源、逆变器及其他电源产品中的功率开关。
- DC-DC转换器: 在DC-DC转换过程中作为高效率的开关元件，以减少能量损耗。
- 电动马达驱动: 在马达控制电路中，作为驱动开关，能有效提供电源和控制功能。
- 高温环境应用: 由于其广泛的工作温度范围，该MOSFET可在极端温度条件下稳定工作，适合航空航天、汽车以及工业控制等高温应用。
优势特点
- 高效率：其低导通电阻和高温特性使得IRFR24N15DTRPBF在高频率和高负载条件下表现出色，减少了能量损耗，提升了系统的整体效率。
- 良好的热性能：D-Pak封装提供优越的散热能力，降低在大电流条件下工作时的温升，延长器件和系统的使用寿命。
- 宽广的入阈电压范围和低栅极电荷：使其对驱动电路的要求相对较低，简化了设计流程。
总结
IRFR24N15DTRPBF N通道MOSFET是性能卓越的功率开关解决方案。凭借其150V的高漏源电压、24A的连续漏极电流和多种应用的适应能力，它在现代电子设计中扮演着重要角色。无论是电源管理、DC-DC转换还是电动马达驱动，IRFR24N15DTRPBF都能提供高效、可靠的性能，是功率电子领域不可或缺的重要组件。