FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 1.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 152.7pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
BSP296NH6327XTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 通道 MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源、以及各种工业控制和消费类电子设备。作为一种高性能的场效应管(FET),它的设计旨在满足高电压和中等电流条件下的需求,同时保持高效能和可靠性,适用于现代电子设备的各种需求。
BSP296NH6327XTSA1 采用 SOT-223(PG-SOT223-4)封装,这种紧凑的封装设计在保持高功率密度的同时,还能有效地进行热管理,减少体积,为电子设备的轻薄短小提供了可能。此外,SOT-223 封装的特性也使得该器件在自动化生产线上的贴装变得简单高效。
BSP296NH6327XTSA1 被广泛应用于以下几个领域:
BSP296NH6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气性能和适应广泛的工作环境,非常适合现代电子产品中的电源管理和开关控制应用。随着电子技术的不断进步,BSP296NH6327XTSA1 的多功能性及效率使其成为设计工程师在选择功率MOSFET时的重要选择。无论是工业设备,还是消费类电子产品,BSP296NH6327XTSA1 都能提供可靠的解决方案,满足日益增长的市场需求。