BSS215PH6327XTSA1
BSS215PH6327XTSA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 11µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 346pF @ 15V |
BSS215PH6327XTSA1手册
BSS215PH6327XTSA1概述
BSS215PH6327XTSA1 产品概述
产品简介
BSS215PH6327XTSA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，属于 OptiMOS™ 系列。这种场效应管采用 SOT-23-3 封装形式，适合表面贴装应用，设计用于具有广泛要求的电子设备。其高效的电气特性和广泛的工作温度范围使其在各种应用中都显得尤为重要。
主要参数
- 制造商：Infineon Technologies
- 系列：OptiMOS™
- 零件状态：有源
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 11µA
- Vgs（最大值）：±12V
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-23-3
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）：346pF @ 15V
功能与应用
BSS215PH6327XTSA1 的设计目标是提供高效的电源管理和开关控制功能。由于其低导通电阻和优越的门电荷特性，适合在较低电压和较高频率下的高效开关应用。它可以满足汽车电子、消费电子以及工业控制等领域对低功耗和高可靠性的需求。
在电源管理应用中，这种 MOSFET 可以用作负载开关、功率转换器和电池供电应用的电源开关。其额定电流为 1.5A 可以处理相对较高的功率负载，适合用于各种电源电路设计。此外，其高温工作能力（最高可达 150°C）使其在严苛的工作环境中也能保持稳定的性能。
效能与可靠性
BSS215PH6327XTSA1 的导通电阻值为 150 毫欧，提供了出色的能效表现，降低了在运行过程中产生的热量。相对较低的栅极电荷（3.6nC @ 4.5V）和输入电容（346pF @ 15V）使其实现快速开关，从而提高了整体电路的效率。然而，此器件的工作状态会受到环境温度和工作电压的影响，因此设计人员应确保在规定的操作范围内工作，以最大限度地提高其性能和可靠性。
结论
BSS215PH6327XTSA1 作为一款优质的 P 通道 MOSFET，以其紧凑的 SOT-23-3 封装，极佳的电气特性及广泛的应用可能性，成为电源管理、信号调节和开关控制的理想选择。无论是在高频开关电源，还是在要求低功耗负载开关的环境中，它都能提供稳定和可靠的性能。设计师和工程师应充分利用其综合性能，来满足未来电子设备对效率和可靠性的高要求。