BSP373NH6327XTSA1
BSP373NH6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 218µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 265pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP373NH6327XTSA1手册
BSP373NH6327XTSA1概述
产品概述：BSP373NH6327XTSA1 - N通道MOSFET
基本信息：
BSP373NH6327XTSA1是一款由英飞凌（Infineon）生产的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），采用SOT-223表面贴装封装。该器件设计用于高效的电源控制和开关应用，具有优异的导通性能和灵活的工作范围，使其在多种电子设计中都能得到广泛应用。
主要参数：
漏源电压（Vdss）：该MOSFET能够承受最高100V的漏源电压，这使其适用于中高压应用，如电源转换器和DC-DC转换器等。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，本器件可以提供高达1.8A的连续漏极电流，适合承受相对较大的负载电流。
驱动电压与导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅极驱动电压下，其最大导通电阻为240毫欧，在1.8A电流下表现出良好的电压降，这意味着在高负载情况下，可以降低功率损耗，从而提高效率。
门极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为4V，意味着在低于此电压时，MOSFET将处于关闭状态，而当电压超过此阈值时，则开始导通。这一特点对于需要精确控制开关的应用尤为重要。
门极电荷（Qg）：在10V的栅极电压下，栅极电荷为最大9.3nC，这一点对于驱动电路的设计尤为关键，因为它直接影响到开关速度以及栅极驱动电流。
输入电容（Ciss）：该器件在25V的条件下，最大输入电容为265pF，这也是决定开关速度的重要因素，较小的电容可以加快MOSFET的开关响应。
功率耗散：最大功率耗散限制为1.8W，适合在低功率环境下运行。
工作温度范围：该器件能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适合用于严苛环境下的应用。
封装类型：BSP373NH6327XTSA1采用SOT-223封装，尺寸小且适合自动化贴片生产，方便在紧凑型电路板中使用。
应用领域：
由于其各种优越性能，BSP373NH6327XTSA1 MOSFET适用于多个领域和应用，包括但不限于：
- 电源管理：用于DC-DC转换器，电池充电器和高效电源供应系统。
- 开关电路：可以作为高效的电子开关，控制灯具、马达和其他负载。
- 信号放大器：可在射频和音频电路中用于信号放大和调制。
- 消费者电子：适用于电视、电脑及其它家用电器中的功率调节和开关控制电路。
- 汽车电子：符合严格的汽车标准，可用于电动汽车、EV充电系统以及各类汽车控制单位。
总结：
BSP373NH6327XTSA1是一个在众多电子应用中具有广泛适用性的N通道MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻和宽工作温度范围，能够为设计工程师提供可靠的解决方案。其小型化的SOT-223封装也使其在需要小型化和轻量化的现代电子设备中变得尤为重要。选择BSP373NH6327XTSA1将是一个明智的决策，无论是在严苛的工业环境还是在多变的消费电子市场中。