BSC070N10NS3GATMA1
BSC070N10NS3GATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4000pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 114W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC070N10NS3GATMA1手册
BSC070N10NS3GATMA1概述
BSC070N10NS3GATMA1 产品概述
BSC070N10NS3GATMA1 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于各种电力电子领域，特别是在开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等场合。其卓越的参数使其在多个应用中具备竞争优势。
主要规格
FET 类型与技术：BSC070N10NS3GATMA1 是一种 N 通道 MOSFET，采用了先进的金属氧化物技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
漏源电压（Vdss）：器件的最大漏源电压为 100V，这使得它适应于高压应用，能够满足多种电路设计需求。
持续漏极电流（Id）：在 25°C 的工作温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流高达 90A（在 Tc = 25°C 时），为高功率应用提供了强大支持。
驱动电压：该器件在 6V 和 10V 驱动电压下具有优秀的导通特性，适用于多种栅极驱动方案，确保了良好的开关性能。
导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅极电压下，50A 的导通电阻最大仅为 7 毫欧，显著降低了功率损耗，优化了系统效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：该 MOSFET 的最大栅极阈值电压为 3.5V（75µA），允许更低的栅极驱动电压，便于控制电路设计。
栅极电荷（Qg）：在 10V 的驱动电压下，栅极电荷最大值为 55nC，表明其开关速度快，因此适合高频应用。
最大 Vgs：器件的栅极-源极电压最大值为 ±20V，增强了其在各种工况下的适应能力。
输入电容（Ciss）：在 50V 的漏源电压下，Ciss 最大值为 4000pF，确保最小的信号失真和快速响应。
功率耗散：该 MOSFET 的最大功率耗散为 114W（Tc），适合于高功率应用环境。
工作温度范围：该器件具有较宽的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，使其适用于严苛的环境条件。
封装形式：BSC070N10NS3GATMA1 采用了表面贴装的 PG-TDSON-8-1 封装，适合于自动化生产线的高速贴装过程，能够有效节省空间并提高产品密度。
应用场景
由于其卓越的性能，BSC070N10NS3GATMA1 被广泛应用于以下领域：
开关电源：在开关电源产品中，MOSFET 用于电源的转换环节，以实现高效率和小型化设计。
直流-直流转换器：在 DC-DC 转换器中，BSC070N10NS3GATMA1 能够有效管理电流和电压转换，提升电源效率。
电机驱动：该 MOSFET 适用于直流电机和步进电机的驱动，能够为电机提供平稳的电流和快速响应。
逆变器：在光伏逆变器及其他能量管理系统中，凭借其优秀的开关性能，BSC070N10NS3GATMA1 可显著提高能量转换效率。
结论
BSC070N10NS3GATMA1 是一种极具竞争力的 N 通道 MOSFET，其高导电能力和低功耗特性使其在现代电力电子设计中表现出色。凭借其高效能和宽广的应用范围，此器件既适合高要求的工业应用，也能够满足通用电子设备的需求，是电子工程师在设计中值得信赖的选择。