2SCR522MT2L 产品实物图片
2SCR522MT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SCR522MT2L

商品编码: BM0000080989
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 20V 200mA NPN VMT-3
库存 :
4(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.541
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.541
--
500+
¥0.181
--
4000+
¥0.12
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SCR522MT2L参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,2V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁400MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-723供应商器件封装VMT3

2SCR522MT2L手册

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2SCR522MT2L概述

2SCR522MT2L 产品概述

一、产品简介

2SCR522MT2L是一款高性能的NPN型三极管,专为广泛的电子应用而设计。该晶体管以其出色的电流增益、快速的频率响应和紧凑的封装设计,成为许多设计师和工程师的理想选择。其具有极低的功耗和高效的电流控制能力,使其在信号处理、放大和开关应用中表现优异。

二、主要规格与参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 200mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 20V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 300mV @ 10mA, 100mA
  • 集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小120 @ 1mA, 2V
  • 最大功率耗散: 150mW
  • 频率响应: 400MHz
  • 工作温度范围: -40°C 至 150°C
  • 封装形式: SOT-723(表面贴装型)
  • 供应商器件封装: VMT3
  • 品牌: ROHM(罗姆)

三、应用领域

2SCR522MT2L的设计使其适用于多种电子应用场景。以下是主要的应用领域:

  1. 信号放大器: 该三极管在音频和射频信号放大中的成绩显著。其较高的hFE和宽频率响应使其成为高保真音频系统和通信设备的理想选择。

  2. 开关电路: 由于其较低的饱和压降和高集电极电流承载能力,2SCR522MT2L非常适合用于开关应用,包括继电器驱动、灯光控制和电源管理等。

  3. 线性调节器: 该器件也可以用于构建线性电压调节器,这在移动设备和便携式电子产品中尤为重要。

  4. 电源转换器: 由于其高效能和温度范围,2SCR522MT2L可在多种电源转换应用中使用,支持开关电源设计和电压稳压器。

四、设计考虑

在使用2SCR522MT2L进行设计时,需要注意以下几个方面:

  1. 电压和电流限制: 设计时必须确保集电极电流不超过200mA,集射极电压不超过20V。这将确保器件的稳定性和可靠性。

  2. 功耗管理: 尽管该晶体管的最大功率耗散为150mW,但在设计时应考虑到散热问题,避免过热,特别是在高负载或高工作温度下。

  3. 频率选择: 其高达400MHz的跃迁频率使其适合高频应用,但设计人员在选择电路拓扑时,还需考虑其他参数,如谐波失真,确保信号质量。

  4. 温度影响: 产品在-40°C至150°C范围内工作,这就要求在设计应用中充分考虑温度变化对器件性能的影响,尤其是在高温环境下。

五、总结

综合考虑,2SCR522MT2L无疑是一个功能强大的NPN三极管,凭借其出色的电流增益、较大的电流承载能力以及高频特性,成为各种电子电路设计中的重要组成部分。无论是在消费电子、工业控制、通信设备还是其他领域,2SCR522MT2L都能提供可靠的性能和灵活的应用潜力。RI华为提供了一种高效、可靠的解决方案,满足现代电子应用的需求。