IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 90µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4910pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IPP072N10N3GXKSA1手册
IPP072N10N3GXKSA1概述
产品概述：IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1 是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能单 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），适用于广泛的电源管理应用。它采用了先进的 OptiMOS™ 技术，以提高效率和降低能耗，成为传统 MOSFET 的理想替代品。其具备出色的电气特性和可靠性，适合用于各种高功率应用，如电源转换器、电动机驱动器、逆变器和其他功率电子设备。
基本参数与优势
高电压与高电流承受能力：IPP072N10N3GXKSA1 的漏源电压（Vdss）为 100V，可支持高达 80A 的连续漏极电流（Id），这一特性使其能够处理高功率负载，适合各类工业和消费电子产品。
低导通电阻：在最大导通电流（80A）和栅极驱动电压为 10V 的条件下，该 MOSFET 的最大导通电阻（Rds(on)）仅为 7.2 毫欧。这种低导通电阻特性有效减少了在电流流过时的能量损失，提高了整体系统效率，为应用提供了高性能的功率管理解决方案。
适宜的栅极驱动电压：该器件的驱动电压区间为 6V 至 10V，在这一范围内工作时能够确保优异的导通性能，同时为设计师提供一定的灵活性，以适应不同电路需求。
宽工作温度范围：IPP072N10N3GXKSA1 具有 -55°C 到 175°C 的广泛工作温度范围，确保其在极端环境中仍能稳定工作，适合航空航天、汽车及工业应用。
优良的输入特性：该器件的输入电容（Ciss）在50V条件下最大值为 4910pF，这意味着在开关过程中可以实现快速的开关响应，降低了开关损耗，提高了系统的整体效率。
小型封装：采用 TO-220-3 封装，具备良好的散热性能，便于安装，适合大多数电路板设计，确保简化系统集成。
应用场景
电源管理：IPP072N10N3GXKSA1 非常适合用于开关电源、直流-直流变换器等电源管理相关应用。其高效率和低热损耗使得电源系统在小型化和高密度设计中表现优异。
电动机控制：可用于无刷直流电机驱动和伺服电机控制系统，通过快速的开关特性来提升整体功率转换效率。
逆变器：该 MOSFET 在光伏逆变器和风力发电逆变器中表现良好，能够稳定地转换直流电流为交流电，保证高效能的电能转换。
工业应用：适用于各种传感器驱动、电力监控系统及其他高功率设备，为工业自动化提供可靠的电源解决方案。
总结
IPP072N10N3GXKSA1 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，提供了卓越的性能和可靠性，能够在各类高功率电源应用中大显身手。其低导通电阻、宽工作温度范围和高电流承受能力，使其成为电子工程师在设计高效能功率管理系统时的理想选择。通过选择这一器件，不仅能够提升设备的整体效率，还能实现长效稳定的运行，在未来的电子产品中起到重要的推动作用。