FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.3 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 460nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 14240pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 375W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7430PBF 是一种高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),专门设计用于高功率应用和要求严格的电源管理系统。这款 MOSFET 隶属于英飞凌(Infineon)品牌,以其高效率和可靠性著称,广泛应用于电源电路、开关电源、DC-DC 转换器和电动汽车等高功率场合。
1. 电气参数
2. 充电参数
3. 电容特性
4. 散热能力
5. 工作温度范围与封装类型
由于其优良的电气特性,IRFB7430PBF 可以广泛应用于以下领域:
IRFB7430PBF 作为一款高性能 N 通道 MOSFET,以其优越的电气参数和适应性广泛的特性,成为众多高功率应用中的首选。它的低导通电阻、高电流承载能力和卓越的工作温度范围,使得设计师在各种要求苛刻的环境中,能够更轻松地实现高效能的电源解决方案。无论是在电源管理,还是在特定驱动应用中,IRFB7430PBF 都为用户提供了值得信赖的解决方案。