DTC013ZMT2L
DTC013ZMT2L参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | VMT3 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
DTC013ZMT2L手册
DTC013ZMT2L概述
DTC013ZMT2L 产品概述
一、概述
DTC013ZMT2L 是由 Rohm Semiconductor 制造的一款高性能数字晶体管，采用NPN预偏压设计，封装形式为SOT-723（VMT3）。这款晶体管专为表面贴装（SMD）应用而设计，提供高度集成的解决方案，适用于各种数字和模拟电路。其最大功率输出为150mW，集电极-发射极电压（Vce）可达到50V，集电极电流（Ic）最大可达100mA，使其成为低功耗应用中的理想选择。
二、主要参数
电流增益 (hFE): DTC013ZMT2L 的直流电流增益（hFE）在特定条件下显示出优良的特性。如在5mA 的集电极电流和10V的集电极-发射极电压下，其最小值为30，这说明了其在运行中良好的放大性能，适合用于信号放大和开关应用。
饱和压降: 在500µA和5mA的条件下，集电极-发射极饱和压降（Vce(sat)）最大为150mV，这显示了其在开关状态下的低压降特性。这一特性对于降低整体功耗和提高电路效率非常重要。
截止电流: DTC013ZMT2L 的集电极截止电流最大值为500nA，确保在关断状态下，电路的漏电流处于较低的水平，提高系统的可靠性及效率。
频率响应: 该器件在频率上具有较好的响应能力，跃迁频率达到250MHz，能够满足高速信号处理的需求，特别适合于高频开关和放大器应用。
电阻器配置: 为了确保器件的最佳工作特性，推荐使用1kΩ的基极电阻（R1）和10kΩ的发射极电阻（R2）。合理配置这些电阻器可以优化整流特性并提高晶体管的工作稳定性。
三、应用领域
由于其优越的电气性能，DTC013ZMT2L 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 数字电路: 作为开关元件，适用于各种数字控制电路。
- 信号放大器: 在音频和射频应用中，可以用作信号放大元件，提供低失真和高增益的放大性能。
- 传感器接口: 可以与不同类型的传感器结合使用，确保信号的快速传递与处理。
- 电源管理: 在开关电源中作为开关元件，提高电源的转换效率。
- 家电和消费电子: 广泛应用于电视、音响、灯光控制等家用电器及消费电子产品中。
四、封装与安装
DTC013ZMT2L 的 SOT-723 封装形式非常适合表面贴装技术（SMT），其紧凑的尺寸使其能够在空间受限的电路中使用。此种封装形式的优点在于可以有效减少焊接时间，提高生产效率，并降低热损耗。在现代电子设备的小型化趋势中，SOT-723 封装的器件提供了良好的解决方案。
五、总结
DTC013ZMT2L 是一款高效能的NPN预偏压数字晶体管，可满足多种应用场景的需求。其优秀的特性，包括电流增益、饱和压降和频率响应，使其成为电子设计中的重要组件。通过精确的电阻器配置，用户还可以获得更优越的性能，为各种电子诸如开关电路、放大器和电源管理等应用提供强大的支持。选择DTC013ZMT2L，即可为您的设计带来可靠性和高效能。