DTC043EMT2L 产品实物图片
DTC043EMT2L 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC043EMT2L

商品编码: BM0000080979
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.555
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.555
--
500+
¥0.185
--
4000+
¥0.123
--
8000+
¥0.0881
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC043EMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,5mA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-723供应商器件封装VMT3

DTC043EMT2L手册

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DTC043EMT2L概述

DTC043EMT2L 产品概述

1. 产品简介

DTC043EMT2L是一款由日本ROHM(罗姆)公司生产的数字晶体管,采用NPN预偏压配置,能够在多种应用场景中提供可靠、高效的性能。其设计特别适合用于开关和放大电路,广泛应用于消费电子、通信设备和其他数字电路。此型号的晶体管在电气特性和封装方面表现出色,具有优异的稳定性和较小的尺寸。

2. 主要参数和规格

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 4.7 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 4.7 kΩ
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为20,条件下为5mA电流和10V电压
  • 饱和压降 (Vce): 最大值150mV于500µA及5mA条件
  • 跃迁频率: 250MHz
  • 功率最大值: 150mW
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 封装: SOT-723
  • 供应商器件封装: VMT3

3. 应用场景

DTC043EMT2L数字晶体管适用于多种应用,包括但不限于:

  • 数字电路: 可用于数字开关和信号处理,支持低电压和高频操作。
  • 消费电子产品: 常见于电视机、家用电器、手机等设备中,以实现开关控制和信号放大功能。
  • 通信设备: 在数据传输及信号放大中,DTC043EMT2L晶体管能够确保良好的性能,尤其是在无线通信领域。

4. 性能特点

  • 高功率处理能力: 最大功耗150mW使得此晶体管能够在高负载环境下稳定工作。
  • 低饱和压降: 150mV的最大饱和压降低有助于提高系统整体能效,尤其是在低电流应用领域。
  • 高频率响应: 250MHz的跃迁频率拓宽了应用范围,能够支持高速开关应用。
  • 优质增益特性: 至少20的DC电流增益能够确保晶体管在多种工作条件下保持良好的增益特性,为后续电路提供可靠的驱动能力。

5. 封装与安装

DTC043EMT2L采用业界广泛使用的SOT-723封装,具有紧凑的设计和优良的热性能,非常适合表面贴装技术(SMT)。这种封装形式有助于减少PCB空间占用,提高了组件的集成度,适应现代电子产品日益小型化的趋势。

6. 竞争优势

ROHM作为行业领先的半导体制造商,凭借其丰富的技术积累和严格的品质控制,为DTC043EMT2L提供了强大的市场竞争力。其低功耗、高效率的特性,结合优异的增益特性和频率响应,使其在多种应用中成为优选器件。此外,ROHM强大的研发能力和客户支持服务为用户提供了更大保障。

7. 总结

综上所述,DTC043EMT2L数字晶体管以其卓越的电气性能、宽广的应用空间和可靠的制造工艺吸引了广泛关注,是许多设计工程师在选择元器件时的理想选择。是否在开发新产品或升级现有设计,DTC043EMT2L都能够满足高性能电路的需求,为电子产品提供高效的方案。在未来的电子发展中,其应用潜力将不断被挖掘,为技术进步贡献力量。