线路数 | 1 | 不同频率时阻抗 | 120 Ohms @ 100MHz |
额定电流(最大) | 2A | DC 电阻 (DCR)(最大值) | 100 毫欧 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C | 封装/外壳 | 0603(1608 公制) |
安装类型 | 表面贴装型 | 高度(最大值) | 0.037"(0.95mm) |
大小 / 尺寸 | 0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) |
ILHB0603ER121V 是由知名电子元器件制造商威世(VISHAY)生产的一款高性能磁珠,其设计旨在满足各种电子应用的需求,特别是在数据通讯、计算机及其他高频信号处理系统中的 EMI(电磁干扰)抑制。该磁珠具有出色的阻抗特性,特别是在高频条件下展现出优良的性能,能够有效地抑制不必要的噪声和干扰,从而提高电路系统的整体稳定性和可靠性。
ILHB0603ER121V 磁珠的主要技术参数如下:
ILHB0603ER121V 的设计强调了 EMI 抑制和信号完整性。其优越的频率响应特性使其成为高频应用中的理想选择。此外,产品的高温稳定性和卓越的电流承载能力,使其能够在多种环境条件下保持高效性能。
ILHB0603ER121V 采用表面贴装技术(SMD),可以轻松集成到自动化生产线上,适合大规模生产的需求。此外,0603 封装的普遍性使得此元器件与多种电路板设计兼容,简化了设计工程师的开发过程。
ILHB0603ER121V 磁珠凭借其优越的阻抗特性、稳定的温度性能和出色的电流承载能力,成为了确保高频信号完整性和抑制电磁干扰的理想选择。随着电子产品日益向轻薄小型化和智能化发展,ILHB0603ER121V 的应用前景将更加广阔,成为高科技电子设备中不可或缺的重要组件。