BR24T04F-WE2
BR24T04F-WE2参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | Digi-Key 停产 | 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | EEPROM | 技术 | EEPROM |
| 存储容量 | 4Kb（512 x 8） | 存储器接口 | I²C |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms | 电压 - 供电 | 1.6V ~ 5.5V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173""，4.40mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 时钟频率 | 400kHz | 基本产品编号 | BR24T04 |
BR24T04F-WE2手册
BR24T04F-WE2概述
BR24T04F-WE2 产品概述
BR24T04F-WE2是由著名的半导体制造商Rohm Semiconductor生产的一款高性能EEPROM（电可擦可编程只读存储器）。该器件特别适用于需要低功耗和非易失性存储的应用，如微控制器、便携式设备以及工业自动化系统等。作为一款具有多种优良特性的EEPROM，BR24T04F-WE2在多种工作环境中表现出色，并充分满足对存储器的高级需求。
主要特点
非易失性存储: BR24T04F-WE2能够在断电或设备关闭时保存数据，确保所存储的信息不会丢失，适用于需要可靠性和耐久性的应用场景。
存储容量: 该EEPROM提供4Kb的存储容量，允许用户进行512字节数据的读写，为许多中小型智能设备提供了足够的存储空间。
I²C接口: BR24T04F-WE2使用I²C接口进行数据传输，支持多主设备及多从设备架构。这种通信方式使得该器件能够在设计上具备更高的灵活性，简化了系统设计，并有助于降低布线复杂度。
高速写入: 该器件具有较快的写周期时间，页写速度为5毫秒，适用于要求快速数据写入的应用场合，从而提高了整体系统的响应性。
宽供电电压范围: BR24T04F-WE2的供电电压范围在1.6V至5.5V之间，兼容多种电源设计，适合在不同的供电条件下使用。
工作温度范围: 器件的工作温度为-40°C至85°C，确保其在严苛环境下的可靠性能，使其适合在工业及户外环境中使用。
封装特性: BR24T04F-WE2采用8-SOP（小型封装）设计，表面贴装型的特性降低了占用空间，使其在现代电子设备中更易于集成。
应用领域
BR24T04F-WE2的应用范围极为广泛，涵盖各种需要存储功能的电子产品。以下是其主要应用领域：
消费电子: 在家电、音响和智能家居设备中，BR24T04F-WE2可用于保存用户设置和偏好信息，确保在设备重新启动后仍能快速恢复个性化设置。
工业自动化: 在控制器和传感器中，BR24T04F-WE2能够存储关键的校准数据及历史记录，提高设备的稳定性和可靠性。
医疗设备: 在医疗监测和诊断设备中，非易失性存储对于记录患者数据至关重要，BR24T04F-WE2能够保证信息的保留和完整性。
汽车电子: 在汽车控制系统中，此存储器可用于保存重要的工作参数，保证在车辆断电时数据依然得以保留。
结论
BR24T04F-WE2 EEPROM作为一款具备高性能、低功耗和大容量存储的电子元件，凭借其多项优异特性深受设计工程师青睐。虽然Digi-Key标示的产品状态为停产，但其在历史遗留及特定工业应用中的重要性仍然不可低估。针对需要可靠存储和高速数据写入的应用场景，BR24T04F-WE2无疑是一个值得信赖的解决方案。因此，了解和掌握BR24T04F-WE2的特性，将为系统设计的成功奠定基础。