RQ3E120GNTB
RQ3E120GNTB参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.8 毫欧 @ 12A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 590pF @ 15V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），16W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
RQ3E120GNTB手册
RQ3E120GNTB概述
RQ3E120GNTB 产品概述
一、基本信息
RQ3E120GNTB是一款由知名品牌ROHM（罗姆）制造的高性能N沟道MOSFET，采用表面贴装型(HSMT-8封装，尺寸为3.2x3.2mm)设计，广泛应用于各种电子电路中。该MOSFET的最大漏极电流（Id）为12A，漏源电压（Vdss）达30V，具有良好的开关特性和高效能，适合用于低功耗、高频率及高效率的电子设备。
二、技术特性
导通电阻（Rds On）： RQ3E120GNTB在12A、10V条件下的最大导通电阻为仅8.8毫欧，表明其具备极低的通导损耗，这使其在高电流功率应用中表现优异。
电流和温度特性： 该 MOSFET 在25℃环境下可以承受12A的连续漏极电流（Id）并在较高温度下（最高150°C）仍能够稳定工作，满足严苛应用场合的要求。其功率耗散最大为2W（Ta），在冷却条件良好的情况下可达16W（Tc），为设计者提供了灵活的热管理选择。
驱动电压和阈值电压： RQ3E120GNTB的驱动电压（Vgs）支持最高±20V，适用于多种控制逻辑电平。不同Id情况下的阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V @ 1mA，确保在低电压驱动下也能实现快速导通。
输入电容与栅极电荷： 在15V的条件下，该MOSFET的输入电容（Ciss）最大值为590pF，体现了其较低的驱动功耗。同时，其在10V条件下的栅极电荷（Qg）最大为10nC，这一特性使得它对驱动信号的响应更为迅速，提升了开关频率。
三、应用场景
RQ3E120GNTB广泛应用于多种电子产品和系统，主要包括：
DC-DC转换器：因其低Rds On特性和高温工作能力，适合用作开关元件，提高能量转换效率。
电机驱动电路：其高电流承载能力使其在各种马达驱动中表现出色，尤其适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动控制。
功率管理系统：在移动设备、照明控制和电源管理中，RQ3E120GNTB以其高效率和小尺寸适合用于减少系统整体功耗和热量。
消费电子产品：在智能手机、平板电脑等便携电子产品中，能够有效控制电源和提升电池续航性能。
四、总结
ROHM的RQ3E120GNTB提供了一种高性能的解决方案，凭借其低导通电阻、出色的电流承载能力以及高温性能，成为了现代高效电子设计的重要组成部分。无论是在电源管理、电机驱动，还是在高效变换器应用中，RQ3E120GNTB都展现出了其可靠性和优越性。对于寻求高效率和小型化设计的工程师而言，该MOSFET无疑是一个理想的选择。