漏源电压(Vdss) | 500V | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 13V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 280 毫欧 @ 4.2A,13V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 773pF @ 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32.6nC @ 10V |
功率耗散(最大值) | 30.4W(Tc) | 安装类型 | 通孔 |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 350µA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | FET 功能 | 超级结 |
1. 引言
IPA50R280CE 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于电源转换、逆变器、开关电源以及诸如电动车、空调和工业设备等各类高压电路中。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,IPA50R280CE 是理想的选择,旨在满足市场上对高效率和高可靠性的需求。
2. 关键技术参数
3. 超级结技术
IPA50R280CE 利用超级结(Super Junction)技术,显著降低了导通电阻和功率损耗,提高了整体效率。超级结MOSFET在同样体积下能够实现更高的电流承载能力和更低的导通损耗,特别适合电源变换中需要高效率和小散热器设计的应用。
4. 应用领域
IPA50R280CE 由于其高电压能力与大电流处理能力,适合多种应用,主要包括:
5. 总结
IPA50R280CE 是一款技术先进、性能优越的 N 沟道 MOSFET。其高额的漏源电压、低导通电阻和广泛的工作温度范围,使其成为能效要求严苛、电力密集型应用的理想选择。结合其优异的超级结技术,该器件为设计工程师在高效电源管理和属高效率转换提供了卓越的解决方案,推动了工业化和电气化的进步。选择 IPA50R280CE,您将获得高效能与高可靠性的保障,助力电源系统的成功应用。