FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 欧姆 @ 660mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 400µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16.1nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 357pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
BSP297H6327XTSA1 是由英飞凌(Infineon Technologies)公司制造的一款高性能 N 通道 MOSFET,广泛适用于汽车和工业领域。该器件以其优越的性能和可靠性,满足了多种应用需求,包括LED照明、先进驾驶辅助系统(ADAS)、车身控制单元、开关电源(SMPS)及电机控制等。
高耐压:该MOSFET具备高达200V的漏源电压,使其在高电压应用中具有良好的适应性。
低导通电阻:在660mA的电流条件下,其导通电阻达到了1.8欧姆,这意味着在稳定的导通状态下功耗较低,效率更高。
优越的热稳定性:工作温度范围宽(-55°C至150°C),使其适用于各种极端的环境条件,满足汽车和工业应用对可靠性的高要求。
小封装设计:SOT-223封装体现了其优越的表面贴装特性,便于提高生产效率。
低栅极电荷:其栅极电荷仅为16.1nC,能够确保快速开关,从而增强了整体电路的响应速度。
高品质和可靠性:作为一个行业标准产品,BSP297H6327XTSA1满足并超越了行业的最高质量标准,适用于要求高质量和高可靠性的应用。
BSP297H6327XTSA1由于其设计优良及技术参数,适合于多种工业及汽车应用场景,例如:
BSP297H6327XTSA1是一款高性能N通道MOSFET,具备高耐压、低导通电阻和高效能等特性,广泛适用于汽车和工业应用。由于其在可靠性和可生产性方面的优势,BSP297H6327XTSA1是设计工程师在选择高质量MOSFET时的重要考量。随着汽车电子化程度的不断提高以及工业自动化的发展,该元件的应用前景将更加广阔。