IPA60R650CEXKSA1
IPA60R650CEXKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 650 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 200µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 28W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
IPA60R650CEXKSA1手册
IPA60R650CEXKSA1概述
产品概述：IPA60R650CEXKSA1 N通道MOSFET
概述
IPA60R650CEXKSA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司设计和生产的高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它的额定漏源电压为600V，持续漏极电流（Id）为7A，适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET特别适合用于电源转换、马达驱动和各种开关电源管理应用，凭借其优越的电气特性和卓越的耐热性，广泛应用于工业和消费电子产品中。
关键特性
高电压和电流规格：IPA60R650CEXKSA1可承受高达600V的漏源电压，适合用于高电压电路。此外，其最大连续漏极电流为7A，能够满足多种负载的需求。
低导通电阻：在10V的栅源电压下，当漏极电流为2.4A时，其最大导通电阻（Rds(on)）为650毫欧。这一特性使得此MOSFET在开启时具有极低的能量损耗，能够有效提升整体系统的效率。
合适的栅极驱动电压：IPA60R650CEXKSA1支持高达±20V的栅极驱动电压，使其适用于多种驱动电路，确保快速开启和关闭，提升系统响应速度。
低栅极电荷：在10V的驱动电压下，栅极电荷（Qg）最大为20.5nC，这意味着在开关操作中将有更快的响应时间，并降低开关损耗，适合高频应用。
宽工作温度范围：此MOSFET的工作温度范围为-40°C至150°C，能够在极端环境中稳定工作，确保设备的可靠性与耐用性，尤其适合高温及恶劣条件下的工业应用。
封装形式：IPA60R650CEXKSA1采用TO-220-3封装形式，使其在散热和安装方面表现良好，适合于通孔安装，便于集成至各种电路板中。
应用领域
由于具备高压、高流和优良的热特性，IPA60R650CEXKSA1 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源：在电源管理领域中使用，帮助提高电源转换效率，降低能量损耗。
- 电机控制：用于电机驱动电路，提供平稳的功率调节以及输出性能。
- 工业设备：在各种自动化设备中做关键控制，使设备在高负载下安全运行。
- 家用电器：广泛应用于家电产品中，以确保高效能和长期稳定性。
总结
IPA60R650CEXKSA1 N通道MOSFET通过其出色的性能规格和功能设置，在电子元器件市场上占据了非常重要的地位。其高电压和电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围，使其成为设计高效电源和驱动电路的理想选择。凭借英飞凌品牌的质量保证和技术支持，该MOSFET能够在各种复杂和苛刻的应用环境中提供可靠的性能， 为工程师和设计师们的创新设计提供了强有力的支持。