晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 380mV @ 300mA,6A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 2A,1V |
功率 - 最大值 | 15W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
2STD1665T4 是一款高性能、低饱和压降的 NPN 型功率晶体管,采用 DPAK 表面贴装封装,特别适合于各种开关电源、直流电机驱动、功率放大器和其他需要大电流和高电压的应用场景。凭借其最大集电极电流(Ic)为6A,集射极击穿电压(Vce)达到65V,以及优越的电流增益特性,2STD1665T4 在功率管理和电力电子领域具有广泛的应用潜力。
高集电极电流:2STD1665T4 的最大集电极电流为6A,适用于需要较大电流驱动的应用,如直流电机驱动和电源转换器。
高电压耐受能力:该产品的最大集射极击穿电压为65V,能够满足各种较高电压环境下的应用需求,确保系统的稳定运行。
低饱和压降:在最大6A的条件下,2STD1665T4 的饱和压降(Vce(sat))仅为380mV,这有助于实现更高的能效和更少的热量产生,尤其在开关频率较高的情况下尤为重要。
优越的电流增益:在2A的集电极电流和1V的Vce下,晶体管的直流电流增益(hFE)最小为150,使其在低信号和高功率放大应用中提供良好的线性性能。
高功率处理能力:最大功率为15W,适合于高功率快速开关和线性放大的应用,为用户提供了更大的设计灵活性。
宽工作温度范围:工作温度范围可达到150°C(TJ),适合恶劣环境的工业及汽车应用。
表面贴装设计:采用DPAK封装,便于自动化贴装,节省了生产时间并提升了可靠性。
2STD1665T4 的设计使其特别适合于以下应用:
在使用 2STD1665T4 时,设计师应考虑适当的散热设计,以确保晶体管在高功率条件下的稳定性与可靠性。由于它的工作温度上限为150°C,因此必须确保安装位置有足够的空气流通以避免过热。此外,设计者还需注意适当的偏置电路,以优化晶体管的性能及增益。
2STD1665T4 是意法半导体(STMicroelectronics)提供的一款出色的功率 NPN 晶体管,凭借其高效能、高可靠性和多用途特性,能够满足现代电力电子设计的挑战。无论是在消费电子、工业自动化,还是汽车应用中,2STD1665T4 都是一个理想的选择,为工程师在设计上提供了更多的灵活性和效能保障。