驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2.5A,2.5A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 15ns,13ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SO |
DGD2113S16-13是一款高性能的栅极驱动器,专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而设计。它的主要功能是快速而有效地切换功率开关元件,从而提高电源转换器和电机控制系统的效率。该驱动器采用16-SOIC封装,适用于表面贴装,能够在多种工业和消费电子应用中带来显著的性能提升。
DGD2113S16-13广泛应用于以下领域:
DGD2113S16-13是一款功能强大的栅极驱动器,其广泛的电压和温度范围使其适用于多种应用。其卓越的性能和高效的开关响应为各种电力电子方案提供了可靠的解决方案。无论是在高压电源管理、电机驱动还是在复杂电路设计中,DGD2113S16-13都展现出了良好的性能,为电子设计工程师提供了高效、可靠的驱动方案。选择DGD2113S16-13,必将为您的电路设计带来显著的优化和价值提升。