DGD2113S16-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DGD2113S16-13

商品编码: BM0000068345
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-16
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
栅极驱动器
库存 :
5(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
8.32
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.32
--
100+
¥7.16
--
750+
¥6.83
--
1500+
¥6.5
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

DGD2113S16-13参数

驱动配置半桥通道类型独立式
驱动器数2栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电10V ~ 20V逻辑电压 - VIL,VIH6V,9.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.5A,2.5A输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V上升/下降时间(典型值)15ns,13ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)供应商器件封装16-SO

DGD2113S16-13手册

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无数据

DGD2113S16-13概述

产品概述:DGD2113S16-13 栅极驱动器

一、基本信息

DGD2113S16-13是一款高性能的栅极驱动器,专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而设计。它的主要功能是快速而有效地切换功率开关元件,从而提高电源转换器和电机控制系统的效率。该驱动器采用16-SOIC封装,适用于表面贴装,能够在多种工业和消费电子应用中带来显著的性能提升。

二、技术参数

  • 驱动配置:半桥,支持独立式通道配置。
  • 驱动器数:2种驱动配置,使得单个器件能够支持更多的电路设计。
  • 栅极类型:支持IGBT与N沟道MOSFET,在高压和高功率应用中表现卓越。
  • 供电电压:10V ~ 20V,适合多种电源设计,提供灵活的供电解决方案。
  • 逻辑电压:逻辑低电压VIL为6V,逻辑高电压VIH为9.5V,确保与大多数控制逻辑兼容。
  • 峰值输出电流:每个输出最大可达2.5A,即灌入和拉出的电流能力,保证开关的快速响应。
  • 输入类型:非反相输入,简化设计流程并减少电路复杂度。
  • 高压侧电压:最大自举电压可达600V,广泛应用于高压电源转换和电机控制。
  • 上升/下降时间:典型上升时间15ns,下降时间13ns,确保高频率操作下的高效切换,降低开关损耗。
  • 工作温度范围:-40°C至150°C,适应各种严苛工作环境,是高温应用的理想选择。
  • 安装类型:表面贴装型,便于实现高密度PCB布局,适合现代小型化设计。

三、应用场景

DGD2113S16-13广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:在DC-DC转换器、开关电源和不间断电源(UPS)中,驱动高效功率开关增强整体效率。
  2. 电机控制:在伺服电机和步进电机的驱动电路中,实现快速开关,控制电机速度和扭矩。
  3. 可再生能源系统:在电能转换器,如逆变器和光伏逆变器中使用,提高能量转化效率。
  4. 消费电子:在音响系统、家用电器中实现高效开关控制。

四、产品优势

  • 高效率:快速的上升/下降时间和较低的开关损耗,确保驱动电路在高频率下稳定工作。
  • 高兼容性:支持多种栅极类型,适应不同的应用需求。
  • 宽工作温度范围:优异的温度稳定性,适用于各种工业和消费电子领域。
  • 紧凑的封装:SO-16的表面贴装设计不仅节省空间,还能实现更高的集成度。

五、总结

DGD2113S16-13是一款功能强大的栅极驱动器,其广泛的电压和温度范围使其适用于多种应用。其卓越的性能和高效的开关响应为各种电力电子方案提供了可靠的解决方案。无论是在高压电源管理、电机驱动还是在复杂电路设计中,DGD2113S16-13都展现出了良好的性能,为电子设计工程师提供了高效、可靠的驱动方案。选择DGD2113S16-13,必将为您的电路设计带来显著的优化和价值提升。