RFP50N06
RFP50N06参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 20V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2020pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 131W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
RFP50N06手册
RFP50N06概述
RFP50N06 产品概述
RFP50N06 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应管），专为广泛的功率管理应用而设计。该器件的关键参数使其成为电源供电、高效开关和电机驱动等应用中的理想选择。作为 ON Semiconductor（安森美）提供的产品，RFP50N06 不仅体现了该品牌在半导体领域的技术领先，也满足了各行各业对高可靠性和优秀性能的需求。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 50A（在 25°C 环境温度下）
- 导通电阻（Rds On）: 最大 22 毫欧（在 50A 和 10V 驱动电压下）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 4V（在 250µA 流量下）
- 栅极电荷（Qg）: 最大 150nC（在 20V 驱动电压下）
- 输入电容（Ciss）: 最大 2020pF（在 25V 驱动下）
- 功率耗散（Pd）: 最大 131W（在规定的环境条件下）
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C（确保在极端环境下的稳定性）
封装与安装
RFP50N06 采用 TO-220-3 封装，这种封装形式不仅便于通孔安装，还能够有效散热，适用于高功率应用场合。TO-220 封装广泛应用于需要较高功率处理能力的场合，使得该 MOSFET 在各种应用中都能有出色的表现。
应用领域
RFP50N06 的广泛应用主要涵盖以下几个方面：
电源管理: 在开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，RFP50N06 可用于电源开关组件，以实现高效率和低能耗。它的低导通电阻允许在高负载条件下进行有效转换，降低能量损失。
电机控制: 此 MOSFET 也常见于电机驱动电路中，特别是在高电流和高效率要求的应用场合，如直流电机和步进电机的控制。稳定性和高电流承载能力使其在各类电机控制系统中理想。
自动化设备: RFP50N06 可在自动化设备中用作开关组件，以控制负载和实现精确的电流管理。
交通及电动车辆: 在电动车辆的动力系统中，该元器件可用于电池管理和电动机驱动，确保高效能和良好的热管理。
优点与特性
RFP50N06 的高导电性以及低导通电阻使得它在高频开关应用中表现优异，有助于降低功耗，提升器件效率。此外，其宽工作温度范围和高功率耗散能力使其在各种恶劣环境下仍能保持良好性能，增强了系统的可靠性。
安森美针对 RFP50N06 的设计追求极致性能，期望为电子工程师提供先进的解决方案，帮助他们设计出更高效、更加可靠的产品。凭借上述的基础性能参数和广泛的应用领域，RFP50N06 已成为现代功率电子设计中的一款重要元器件。
总之，RFP50N06 代表了高效能功率开关技术的尖端发展，凭借强大的电气性能和广泛的应用适用性，成为了各类电源管理及驱动应用中的优选组件。对于需要高功率和高功率密度解决方案的设计工程师来说，RFP50N06 无疑是一个不可多得的理想选择。