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IRL6342TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 9.9A 1个N沟道 SO-8
库存 :
30(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
1.85按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.85
--
100+
￥1.48
--
1000+
￥1.32
--
2000+
￥1.24
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRL6342TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.6 毫欧 @ 9.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1025pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRL6342TRPBF手册
无数据
IRL6342TRPBF概述
IRL6342TRPBF 产品概述
概述
IRL6342TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）制造的 N 通道 MOSFET，其针对高性能和高效率的应用设计。这款场效应管以其低导通电阻和相对较高的电流承载能力在众多应用中表现出色，尤其是在电源管理、开关控制和高效率电压转换等场景中。其封装为 SO-8 类型，便于PCB的集成和实现高密度设计。
主要特点
- 高电流承载: IRL6342TRPBF 支持最高 9.9A 的连续漏极电流，在热管理得当的情况下，能够满足大多数中等功率应用的需求。
- 低导通电阻: 在工作条件下，其最小 Rds(on) 低至 14.6 毫欧（在 9.9A 和 4.5V 的条件下），使得其在开启状态下的功耗显著降低，进一步提升系统的整体效率。
- 较高的漏源电压: 最高可承受的漏源电压（Vdss）为 30V，使其在 24V 及更高电压的应用中都可以安全使用。
- 宽输入电压范围: 它的最大驱动电压（Vgs）为 ±12V，适合多种逻辑电平控制的电路。
- 快速开关能力: 栅极电荷（Qg）最大值为 11nC，意味着在开关操作中，可以快速响应，从而减少开关损耗，并提高开关频率。
- 广泛的工作温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保在苛刻环境下依然能够稳定运行，满足高温应用的需求。
应用领域
IRL6342TRPBF 非常适合于许多现代电子产品的应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器: 其高效率特性使其成为降压和升压转换器的理想选择。
- 电机驱动: 在电机驱动和开关控制中，能够有效控制电机的启停和速度。
- 功率管理: 在各种功率管理电路中，如电源分配和保护电路，能够提供可靠的开关功能。
- 充电器和电源供应设备: 其高电流承载能力和低开关损耗适用于充电应用，提高能量的利用效率。
封装和安装
IRL6342TRPBF 采用 SO-8 封装，这种表面贴装式封装适合现代电子产品的高密度布局，有助于减少PCB占用空间并提高散热性能。提供的 SO-8 封装尺寸贡献了整体设备小型化的趋势，并在多个制造商的电路板设计中得到了广泛应用。
结论
IRL6342TRPBF 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和耐环境能力，成为许多高性能电子应用的首选器件。其良好的导通性能和快开关响应使得这款 MOSFET 在电源管理和开关控制中非常有竞争力，能够满足日益增长的市场需求，并为设计工程师提供了便利。无论是在高温条件还是在高频应用中，IRL6342TRPBF 的表现都能保证系统的稳定性与效率。