STWA57N65M5
STWA57N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 63 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4200pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STWA57N65M5手册
STWA57N65M5概述
STWA57N65M5 产品概述
基本介绍
STWA57N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，广泛应用于高压电源转换、逆变器、开关电源及其他电力电子设备。该器件具有650V的漏源电压、42A的连续漏极电流、250W的功率耗散能力，能够满足高效能和高可靠性的设计需求。
技术参数
- FET类型: N沟道
- 技术: 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）: 650V
- 连续漏极电流（Id）: 25°C时最大为42A
- 驱动电压: 10V（最大 Rds(on)）
- 导通电阻（最大值）: 在21A和10V的条件下，导通电阻为63毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为5V（在250µA下测得）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为98nC（在10V条件下）
- 栅源电压（Vgs）: 可承受最大值±25V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为4200pF（在100V条件下）
- 功率耗散: 最大为250W（在条件温度Tc下）
- 工作温度: 最高为150°C
- 安装类型: 通孔（Through Hole）
- 封装: TO-247-3
应用场合
STWA57N65M5广泛应用于需要高开关频率和高效能的电源设备。常见的应用场景包括：
开关电源: 由于其高压和高电流能力，STWA57N65M5能够有效地处理电源转换过程中的电流和电压，降低能耗，提升效率。
逆变器: 在光伏、风能等可再生能源系统中，作为逆变器的关键元件，该MOSFET可实现直流到交流的高效转换。
电动汽车与混合动力汽车: 在电动汽车的动力管理系统中，STWA57N65M5可用于电源控制和驱动电机，提供所需的高效能和可靠性。
工业电源设备: 适用于各种工业电源的电源转换单元中，能够支持高负载下的可靠运行。
优点与特性
高效率: 低导通电阻和较高的工作电压，使得该MOSFET在切换状态时能极大降低能量损耗。
耐高温性: 该器件能在高达150°C的环境下稳定工作，适合严苛的工业应用环境。
易于驱动: 具备10V的驱动电压，且栅极电荷小，方便实现快速开关操作，降低控制电路的复杂性。
强大的集成功能: 支持高达250W的功率耗散，使其非常适合用于需要密集功率处理的小型设计中。
总结
STWA57N65M5是一款具备高性能、高效率的N沟道MOSFET器件，适用于广泛的电力电子应用。其高额的额定电压和电流、低导通电阻以及优秀的热管理能力，使其成为设计师在开发先进电源解决方案时的理想选择。无论是在可再生能源设备、电动汽车还是工业控制系统中，STWA57N65M5都展现出其强大的适应性与高效能，为用户提供了可靠的性能保障。