IRFI510GPBF
IRFI510GPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 27W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
IRFI510GPBF手册
IRFI510GPBF概述
产品概述：IRFI510GPBF N通道MOSFET
一、产品简介
IRFI510GPBF是一款高性能的N通道MOSFET，制造商为著名的电子元器件供应商VISHAY（威世）。此器件采用TO-220-3封装形式，设计用于在各种应用中提供可靠的功率管理解决方案。其优越的电气特性和宽广的工作温度范围，使其适合于高频开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器及其他高功率电子设备。
二、关键性能参数
漏源电压 (Vdss): 此MOSFET的额定漏源电压达到100V，能够在高压环境下稳定工作，适合用于多种工业应用场景。
连续漏极电流 (Id): 在25°C环境下，IRFI510GPBF的连续漏极电流可达4.5A（Tc）。这一参数使其适合在高负荷条件下运行而不产生过度的热量积聚。
导通电阻 (Rds On): 在Vgs为10V且Id为2.7A条件下，导通电阻的最大值为540毫欧，确保其在导通状态下低的功率损耗，从而提升整体效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 栅极阈值电压的最大值为4V（在250µA下），这表明它在较低的栅极驱动电压下就能开始导通，降低了控制电路的复杂性。
栅极电荷 (Qg): 在10V状态下，栅极电荷的最大值为8.3nC，代表它在开关操作时所需的能量非常低，适合高频切换应用。
输入电容 (Ciss): 在25V下，输入电容值为180pF，反映出器件的输入阻抗特性，并影响开关速度及频率响应。
功率耗散 (Pd): IRFI510GPBF的最大功率耗散为27W（Tc），给予设计人员一定的灵活性以满足高功率负载的需求。
工作温度范围: 其工作温度范围广泛为-55°C到175°C（TJ），使得该器件在极端环境中依然可以稳定工作，非常适合航空航天、汽车及工业自动化等领域。
三、应用领域
IRFI510GPBF的设计适合于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源: 在AC-DC和DC-DC变换器中用作开关元件，提高效率并减小热量产生。
- 马达控制: 在直流电机驱动电路中用作驱动开关，为电机提供快速、稳定的控制。
- 电池管理系统: 作为载流开关，控制充电和放电过程，确保电池安全及功率效率。
- 高频转换器: 由于其低导通电阻和低栅极电荷，适合在高频操作环境中。
四、封装及安装
IRFI510GPBF采用流行的TO-220-3全封装，隔离接片设计，便于散热和安装，适合通孔安装的PCB设计。其良好的热管理能力和紧凑的尺寸使得其在有限的空间内具备良好的散热性能。
五、总结
IRFI510GPBF是一款高效能的N通道MOSFET，其设计与性能优化使其非常适合于要求高效能和高可靠性的电源管理应用。凭借其优质的材料和先进的制造工艺，该器件为用户提供了强大的电气性能和出色的环境适应能力。VISHAY（威世）作为知名品牌，确保了该产品的质量和可靠性，为广泛的应用提供了理想的解决方案。