STW10N95K5

STW10N95K5 产品概述

STW10N95K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其在电力电子产品中具有广泛的应用潜力。这款MOSFET具备卓越的电气特性和可靠性，适用于要求严格的高压、高功率电子电路。以下是对该产品的详细介绍：

基本参数

STW10N95K5 的漏源电压（Vds）高达 950V，使其能够在高压环境中操作，适合用于逆变器、开关电源和大功率转换器等应用。其在 25°C 时的连续漏极电流（Id）为 8A，保证了足够的输出能力，适合用于各种电力转换场景。

在导通状态下，该MOSFET的电阻（Rds(on)）最大值为 800 毫欧，测量条件为 10V 的栅源电压（Vgs）和4A 的漏极电流。这一低导通电阻特性帮助有效减少功耗，提高效率，尤其在高频开关应用中尤为重要。

驱动和控制特性

STW10N95K5的驱动电压范围最小为 10V，保证了MOSFET在开关时的有效导通。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 5V（@ 100μA），确保MOSFET能够在较低的驱动电压下安全导通，从而提高系统的工作效率。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为 22nC（@ 10V），这表明其在开关过程中的高效能，更有助于简化驱动电路的设计。

频率和负载特性

输入电容（Ciss）为 630pF（@ 100V），使得STW10N95K5在高频应用中表现出色，这对于那些对开关频率有高要求的电路尤为重要。此外，该MOSFET的功率耗散最大可达到 130W（@ 25°C），这使得其能够处理大量功率，适合大功率应用的负载需求。

工作环境

STW10N95K5 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，赋予了产品在极端温度环境中的良好适应性。这一特点使得该MOSFET非常合适于工业、汽车和航空航天等要求较高稳定性的场合。

封装和安装

该产品采用 TO-247-3 封装方式，具有良好的散热性能，适合通孔安装，便于元器件的匹配和布线。这一封装形式通常用于高功率应用，进一步确保其在性能和热管理下的优越表现。

应用领域

STW10N95K5 在多个领域均有广泛的应用潜力，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 逆变器（例如，太阳能逆变器和电动机驱动控制器）
• 助力电池管理系统（BMS）
• 电动汽车的动力控制
• 照明电子设备
• 工业变频驱动

结论

STW10N95K5 是功能强大且可靠的 N 通道 MOSFET，其优异的电气特性、宽广的工作温度范围和高压能力使其成为各种电力电子应用的理想选择。凭借其卓越的性能和可适应高压环境的能力，该MOSFET可以在现代电子产品中提供稳定可靠的工作表现，满足工业、汽车和消费电子等相关领域的需求。