STWA88N65M5
STWA88N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 84A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 42A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 204nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8825pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 450W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STWA88N65M5手册
STWA88N65M5概述
STWA88N65M5 产品概述
一、产品简介
STWA88N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于高压和高效能应用。该元器件采用 TO-247-3 封装，具有出色的散热性能和易于安装的特性，广泛应用于电源管理、逆变器、驱动电路等场景。
二、核心参数
- 漏源电压 (V_dss): 650V
- 最大连续漏电流 (I_d): 84A (在环境温度 25°C 下)
- 最大导通电阻 (R_ds(on)): 29 mΩ (在 Id = 42A，V_gs = 10V 时)
- 栅极电压范围 (V_gs): ±25V
- 最大功率耗散: 450W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C (T_j)
三、技术特性
高压能力: STWA88N65M5 的 V_dss 高达 650V，使其能够在高压电路中稳定工作，适合于太阳能逆变器、电动汽车驱动及工业电源应用。
低导通电阻: 在 42A 的条件下，R_ds(on) 的数值为 29mΩ，这意味着该 MOSFET 在工作时的功耗相对较少，从而提高了整体效率，减少了热量的产生。
快速开关特性: 最大栅极电荷 (Q_g) 为 204nC，在 10V 的栅极驱动电压下，这种快速的开关特性有助于降低开关损耗，并提升设备的性能。
宽工作温度范围: STWA88N65M5 可承受高达 150°C 的工作温度，满足了高温环境下的可靠性需求，使得该器件非常适合用于苛刻的工业环境。
高功率处理能力: 最大功率耗散能力为 450W 使其能够用于高功率的设计，能够满足各种负载和动态响应的需求。
四、应用领域
由于其优越的电气特性，STWA88N65M5 MOSFET 适合用于以下应用：
电源转换器: 包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器以及不间断电源（UPS）等。
逆变器: 太阳能光伏逆变器、电动汽车逆变器和其他变换器中，用于将直流电转换为交流电。
马达驱动: 适用于工业电机驱动，以实现高效能控制和能量利用。
照明系统: 可应用于 LED 驱动电路，提高显著亮度的不间断电源。
五、设计指南
在设计时需考虑以下要素：
散热管理: 由于 MOSFET 的功率耗散能力非常高，设计时需保证良好的散热措施，以避免因发热导致器件失效。
栅极驱动电压: 确保栅极电压的范围控制在 V_gs (±25V) 之内，以确保器件在安全范围内操作。
PCB 布局: 应减少器件与负载之间的寄生电感与电阻，以降低开关损耗和提高系统效率。
选择合适的保护电路: 在高压应用中，为了保障电路安全，使用合适的保护电路（如瞬态电压抑制器 TVS）是非常重要的。
六、总结
STWA88N65M5 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，凭借其650V的高额定电压、84A的连续漏电流以及低导通电阻，它在多个高效能电源应用中展现了非凡的价值。无论是在电源管理、驱动电路还是高效的逆变器中，STWA88N65M5 凭借其出色的电气性能和高温耐受能力，都是设计工程师的理想选择。通过合理设计和热管理，该元器件能够帮助开发出高效、稳定的电子产品。