IRFD9024PBF
IRFD9024PBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 280 毫欧 @ 960mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 570pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
IRFD9024PBF手册
IRFD9024PBF概述
产品概述：IRFD9024PBF
产品概述
IRFD9024PBF是一款高性能的P通道MOSFET，专门设计用于高压和高电流应用。其漏源电压(Vdss)可承受高达60V，连续漏极电流(Id)最高为1.6A，非常适合用于功率管理、开关电源和电机驱动等场合。
主要特性
高压能力：IRFD9024PBF的最大漏源电压(Vdss)为60V，能够在各种严格的电压条件下稳定工作，适用于多个行业的应用，包括汽车、工业控制和消费电子。
低导通电阻：在较高的栅极驱动电压（Vgs）下，IRFD9024PBF表现出优异的导通电阻特性。在10V的驱动电压下，导通电阻(Rds On)的最大值为280毫欧，尤其适合需要高效电流传输的应用。
宽工作温度范围：该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，极大提升了其在严酷环境下的适应能力，确保长期稳定的性能。
适用的驱动电压：IRFD9024PBF的最大栅-源电压(Vgs)为±20V，能够适应多种驱动方案，同时在不同的漏极电流（Id）和栅极电压（Vgs）条件下，保持相对稳定的阈值电压(Vgs(th))，最大值为4V @ 250µA，有助于简化驱动电路设计。
小型封装：该MOSFET采用4-DIP（双列直插封装）封装，具有良好的散热特性及易于安装的优点，适合各种电路板设计及生产线组装。
优良的输入电容特性：最大输入电容(Ciss)为570pF @ 25V，确保在快速开关操作时，能够实现高效能和更快的响应。
低栅极电荷：IRFD9024PBF的栅极电荷(Qg)最大值为19nC @ 10V，意味着在开关操作中，有效降低了驱动功耗，提高了整体电路效率。
应用领域
IRFD9024PBF因其独特的特性，广泛应用于多个领域，如：
- 电源管理：在开关电源和线性稳压电源中用于高效率的电源转换，减少功耗。
- 电机驱动：适合用于直流电机及步进电机的控制电路中，能够进行高效的开关操作，提高电机的工作效率和响应速度。
- 自动化控制：在工业设备和自动化系统中，用于开关控制、负载切换等场合，提升系统的稳定性和可控性。
总结
IRFD9024PBF是一款集高电压承受能力、低导通电阻、宽工作温度范围于一身的P通道MOSFET，特别适合为需要高效能与高稳定性的应用。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制领域，该产品都能为设计者提供卓越的性能和灵活的设计选择，使之成为电子设计中的理想选择。选择IRFD9024PBF，将为您的产品赋予更高的可靠性和性能。