STW56N65DM2
STW56N65DM2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 48A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 88nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4100pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 360W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW56N65DM2手册
STW56N65DM2概述
STW56N65DM2 产品概述
一、产品基本信息
STW56N65DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）研发的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），特别设计用于高度效率的高压应用。该器件的最大漏源电压（Vdss）为650V，能够支持高达48A的连续漏极电流（Id），使其在高功率环境中具有出色的表现。其采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于需要高功率密度和高电压的应用场景。
二、主要特性
高性能电流容量：STW56N65DM2在25摄氏度下，能够承受高达48A的单元电流，适合各种电源转换和电机驱动应用。
低导通电阻：该元器件在24A、10V的条件下，最大导通电阻（Rds(on)）为65毫欧，极大地降低了能量损耗，使得整体系统效率提升。
宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种极端环境下的应用，确保了其在汽车和工业领域的可靠性。
高功率耗散能力：器件的最大功率耗散为360W，适应更高功率的应用需求，确保在高电流和高电压时能够有效散热。
栅极电荷特性：在10V的栅极驱动电压下，该器件的栅极电荷（Qg）最大值为88nC，这意味着在高频开关应用中，其响应速度较快，提升了开关效率。
优越的输入电容性能：输入电容（Ciss）在100V时最大值为4100pF，这使得该MOSFET在高频操作中能够保持良好的开关特性。
乐观的阈值电压：该器件的贵族阈值电压Vgs(th)（最大值）为5V @ 250µA，此特性配合其优秀的导通性能，使其在低电压驱动时也能表现出色。
三、应用领域
STW56N65DM2适用于多种高压和高性能的场合，包括但不限于：
开关电源（SMPS）：该MOSFET能够有效处理高压输入，提供高效率能量转换，广泛应用于电源适配器和电源模块。
电动汽车和混合动力汽车：在电动车的电机驱动和能量管理系统中，STW56N65DM2能够稳定工作，确保系统的高效性及安全性。
工业自动化控制：该元件可用于控制交流和直流电机，提供精准控制及高效能。
逆变器应用：在光伏逆变器和其他能源转换系统中，STW56N65DM2表现出色，能够高效转换直流电源为交流电源。
大功率LED照明驱动：其高功率和高电压能力，可用于高效的LED驱动电路。
四、总结
STW56N65DM2是意法半导体推出的一款高性能N沟道MOSFET，凭借其650V的高压能力、48A的电流处理能力以及极低的导通电阻，广泛适用于需要高效能、高稳定性的系统。无论是在电源管理、高压设备，还是电动汽车和工业自动化等领域，STW56N65DM2均展现了极佳的性能。同时，其TO-247封装设计也便于实现良好的散热效果，适应了现代电子应用对高效率和小体积的要求。该产品是工程师在设计高效能电源以及各种功率控制电路时的优秀选择。