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STW45NM50
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 417W 500V 45A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
32.91按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥32.91
--
10+
￥29.38
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW45NM50参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 117nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3700pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 417W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW45NM50手册
无数据
STW45NM50概述
STW45NM50 产品概述
产品简介
STW45NM50是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优越的电气特性和热管理能力，特别适用于高电压和高电流的应用场合。其最大漏源电压为500V、连续漏极电流为45A，使其成为电源管理、逆变器、开关电源和其他高功率应用的理想选择。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）制造，采用TO-247-3封装，在散热和安装方面具有很大的优越性。
主要参数
- FET 类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压 (Vdss): 500V
- 25°C 下的连续漏极电流 (Id): 45A（Tc）
- 驱动电压: 10V
- 导通电阻 (Rds On): 最大值100毫欧 @ 22.5A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值117nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值3700pF @ 25V
- 功率耗散: 最大值417W（Tc）
- 工作温度范围: -65°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-247-3
STW45NM50的这些参数确保了其能够可靠地在极端条件下工作，同时也为设计师提供了更大的灵活性以满足各种电路和系统的需求。
应用领域
STW45NM50具有广泛的应用领域，主要包括但不限于以下几个方面：
- 开关电源: 由于其高效的电流控制和低导通电阻，这款MOSFET特别适用于开关电源，可以显著提高系统的能量转换效率。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和各种电力转换装置中，该MOSFET可以通过其高电流承载能力和低导通损耗，提升整体性能。
- 电动汽车: 随着电动汽车市场的发展，STW45NM50的高电压和高电流特性使其在电动汽车的动力转换系统中扮演重要角色。
- 工业驱动和电机控制: 其耐高温和高功率的特性使其成为工业电机驱动和控制系统的理想选择。
性能优势
- 低导通电阻: STW45NM50的最大Rds On为100毫欧，在高电流条件下可以有效降低功耗，提高整体效率。
- 高功率耗散能力: 417W的功率耗散能力确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定的性能。
- 广泛的温度范围: 工作温度范围广 (-65°C ~ 150°C) 使得该产品在极端工作环境中仍能可靠应用，这非常适合航空航天、军事和工业等领域。
- 优秀的散热性能: TO-247-3封装设计提升了散热效率，便于系统集成和管理。
总结
STW45NM50是一款设计精良、性能卓越的N沟道MOSFET，适用于需要高电压和高电流的各种应用。其低导通电阻、高功率耗散能力以及广泛的工作温度范围，使其成为电源管理、逆变器和电动汽车等领域的理想选择。随着市场对高效能电子元件需求的不断增长，STW45NM50将继续在高功率应用中发挥其独特的优势。