IRFB18N50KPBF

IRFB18N50KPBF 产品概述

产品名称：IRFB18N50KPBF
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-220-3
制造商：VISHAY（威世）

基本参数概述
IRFB18N50KPBF是一款高效能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具备500V的高漏源电压，最大连续漏极电流可达到17A。这款MOSFET特别设计用于高电压和高电流应用，适合用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。

技术特点

1. 耐压与电流：

   • 漏源电压（Vdss）：该器件最大耐压可达500V，适合在高电压环境下操作。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C时能够承受最大17A的连续电流，表明其优越的工作性能与热管理能力。

2. 导通电阻与驱动电压：

   • 在10V的栅极驱动电压下，IRFB18N50KPBF的最大导通电阻（Rds On）为290毫欧，尤其适合需要高效率的应用场景。这一低导通电阻意味着更少的功耗和更高的效率，特别是在开关频率较高的情况下。
   • Vgs的最大值可达±30V，确保在不同电路条件下的灵活应用。

3. 电气特性：

   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为5V（@250µA），这表示导通所需的最小栅极电压，适合于较广泛的驱动电路设计。
   • 栅极电荷（Qg）：在10V时的栅极电荷最大值为120nC，说明在快速开关操作时，驱动电路的负担相对较小，有助于降低开关损耗。
   • 输入电容（Ciss）：在25V时最大输入电容为2830pF，表明其在高频操作时的良好相应性能。

4. 功率处理能力：

   • 该器件的功率耗散能力高达220W（Tc），其散热特性使得该MOSFET能够在高功率应用中保持稳定表现。

5. 工作温度范围：

   • IRFB18N50KPBF能够在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内稳定工作，适应不同环境条件下的应用需求。这一特性使得它在汽车、工业及航空航天等领域表现出色。

封装与安装类型
IRFB18N50KPBF采用TO-220AB封装，通孔安装设计确保了良好的热管理，因此是大功率和高散热应用的理想选择。TO-220封装不仅提供了便利的电气连接方式，还能够通过散热器有效地散发热量，降低器件工作温度，从而提高其功率处理能力。

应用领域
IRFB18N50KPBF广泛应用于多种高电压及高功率场合，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电机驱动系统
• 高频DC-DC变换器
• 直流电动机制动
• 逆变器

总结
IRFB18N50KPBF是一个高性能、可靠性强的MOSFET，专门设计满足高电压、高电流及高效能的应用需求。其结合了出色的导通电阻、功率处理能力和宽广的工作温度范围，使其成为多种电子产品及系统设计中的优选材料。无论是在工业控制、汽车电子，还是在消费类电子产品中，这种MOSFET都能发挥其优越的特性，为用户提供高效的解决方案。