FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 160nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3700pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP75NF75FP 是意法半导体 (STMicroelectronics) 公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。依托其卓越的电气特性与可靠性,该元件广泛应用于各种电源管理、电机控制及开关电源等领域,满足对高效能和高集成度的现代电子产品需求。
类型与技术
STP75NF75FP 采用 N 通道 MOSFET 技术,凭借其结构优势,能够实现更低的导通电阻和更高的开关速度。在电源和功率转换器等应用中,可有效提高能效,降低发热量。
电压与电流规格
该 MOSFET 的漏源电压 (Vdss) 达到 75V,使其能够应对绝大多数中等电压应用。同时,在25°C条件下,其连续漏电流 (Id) 高达 80A,适合于高负载工作场景。
导通电阻与热管理
STP75NF75FP 在 40A、10V 的条件下,最大导通电阻 (Rds On) 为 11 毫欧,表现出色。此外,最大功率耗散能力可达到 45W,确保在高负荷条件下的稳定性和安全性,极大地减少了因过热而造成的故障风险。
阈值电压
该器件的门源阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 4V (在250µA条件下),确保在较低的栅极驱动电压下即可使 MOSFET 导通,提升了系统的灵活性与可调性。
栅极电荷特性
在 10V 的驱动电压下,栅极电荷 (Qg) 最大为 160nC,这一特性帮助优化了开关速度,使器件可以快速响应控制信号,以适应高频开关应用。
输入电容特性
输入电容 (Ciss) 的最大值为 3700pF (在 25V 条件下),这一参数对驱动电路设计与功率转换效率影响显著。在高频操作时,其低输入电容可大幅减少开关损耗,提升系统性能。
STP75NF75FP 的工作温度范围广泛 (-55°C ~ 175°C),使其适用于严酷的工业环境及军事应用,增强了产品的适用性和可靠性。它采用 TO-220FP 封装,使其在高功率应用中能够提供良好的散热解决方案,且安装方式为通孔设计,便于集成到各种电路板中。
STP75NF75FP 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
STP75NF75FP 是一款性能卓越、应用广泛的 N 通道 MOSFET,其高电压、高电流和优越的热管理特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。随着现代电子产品对能效与高效能的需求增加,STP75NF75FP 的市场应用前景依然广阔,能够为用户提供可持续、高效的解决方案。无论是在工业设备、汽车电子还是消费类产品中,STP75NF75FP 均展现出了卓越的性能和可靠性。