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IRFBC40APBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB-3
包装 :
管装
重量 :
2.761g
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 600V 6.2A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
1000(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
6.41按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.41
--
100+
￥5.13
--
1000+
￥4.75
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFBC40APBF参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±30V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1036pF @ 25V |
| 基本产品编号 | IRFBC40 |
IRFBC40APBF手册
无数据
IRFBC40APBF概述
IRFBC40APBF 产品概述
产品介绍
IRFBC40APBF 是一款由 Vishay Siliconix 生产的高性能 N 通道 MOSFET，广泛应用于功率转换、电源管理、马达驱动和其他高电压高电流的电力电子应用。该器件的设计旨在提供优异的导通特性和热性能，确保在各种工作条件下的高效运行。
关键参数
- 最大漏极电流 (Id): IRFBC40APBF 在 25°C 环境下可持续提供 6.2A 的漏极电流，展现出其在负载条件下的高适应性。
- 漏源电压 (Vdss): 本器件的耐压等级为 600V，适合用于高电压应用中，具有出色的安全性和可靠性。
- 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 125W，能有效地处理高功率应用中的热量，提升系统的稳定性。
- 导通电阻 (Rds On): 在不同电流条件下，该 MOSFET 的导通电阻最大值为 1.2Ω (在 3.7A @ 10V 时)，确保低功耗和高效能转换。
- 栅极驱动电压 (Vgs): 工作的 Vgs 值范围为±30V，这使得 IRFBC40APBF 能够与多种驱动电路兼容，增强了灵活性。
特性分析
- 高效能: IRFBC40APBF 在正常工作条件下能够实现较低的导通电阻，这直接转化为更低的功耗和更高的系统效率，非常适合节能应用。
- 热稳定性: 本产品支持从 -55°C 到 150°C 的宽工作温度范围，使其能够在极端环境条件下保持良好的性能，有助于延长设备的使用寿命。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时，栅极电荷为 42nC，较小的 Qg 值使得 MOSFET 在开关时具备更好的快速响应能力，适合用于高频应用。
- 输入电容 (Ciss): 在 25V 条件下的输入电容为 1036pF，这有助于提高驱动电路的效率，减少开关损耗。
应用领域
IRFBC40APBF 适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 电源管理系统: 由于其高压和高电流能力，适用于开关电源、直流至直流转换器及更复杂的电源拓扑结构。
- 马达控制: 在直流马达和步进电机驱动应用中，可作为高效的开关元件，确保系统运行的稳定性和可靠性。
- 逆变器: 适用于光伏逆变器和其他电力电子变换器中，具备优异的换流性能。
封装与安装
IRFBC40APBF 采用 TO-220AB 封装，支持通孔安装，方便在各种电路板设计中使用。该封装提供较大的接触面积，有助于有效散热，确保 MOSFET 在高功率应用中的正常运行。
结论
综上所述，IRFBC40APBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高漏源电压、高电流输出、低导通电阻及良好的热稳定性，非常适合在要求高效能的电力电子领域应用。此型号为电子工程师与设计师提供了一种可靠的解决方案，无论是在电源管理、马达驱动还是复杂的电力转换应用都能发挥重要作用。