注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STF8NM50N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 20W 500V 5A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.71按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.71
--
100+
￥5.37
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF8NM50N参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 790 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 364pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF8NM50N手册
无数据
STF8NM50N概述
产品概述：STF8NM50N N通道MOSFET
1. 产品简介
STF8NM50N 是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。其主要特点包括高漏源电压（Vdss）500V、连续漏极电流（Id）5A、以及出色的热管理能力（最大功率耗散可达20W）。该型号MOSFET适用于各种高压高电流的应用场景，如开关电源、DC-DC转换器、以及电机驱动等。
2. 关键参数
- 类型：N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 连续漏极电流（Id）：5A（Tc=25°C）
- 驱动电压：10V（最大 Rds On），用于保证最优的导通性能。
- 导通电阻（Rds(on)）：在2.5A和10V下，最大值为790毫欧，这使其在高负载下的能效表现尤为突出。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V @ 250µA，适合低电压控制应用。
- 栅极电荷（Qg）：在10V时，最大值为14nC，反映了其在开关过程中所需的驱动能力。
- 输入电容（Ciss）：最大值为364pF @ 50V，表明其在高频应用中的良好表现。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，保证在恶劣环境下的稳定运行。
- 封装类型：TO-220FP，便于散热和安装。
3. 应用领域
STF8NM50N 因其优越的电气特性和温度适应范围，被广泛应用于：
- 开关电源：在高压输入和输出条件下，可以实现高效率的电源转换。
- 电机驱动：在各类直流电机和步进电机控制电路中，表现出良好的开关性能。
- DC-DC转换器：在需要高电流和高电压转换的应用中，能够提供稳健的性能。
- 灯具驱动：用于LED驱动电路中，作为高效的开关元件。
4. 性能特点
STF8NM50N 的主要性能优势在于其低导通电阻和高漏源电压，使其在多种应用中具备较低的功耗和高效率。此外，其宽广的工作温度范围和强劲的散热能力，保证了在长时间负载运行后的稳定性。整合Q1/Q2爬升时间及电容特性，STF8NM50N在高频切换环境中同样表现出色，降低了切换损耗。
5. 散热和安装
为确保STF8NM50N元件在高电流下的安全和可靠性，建议搭配适当的散热器使用。TO-220FP封装允许用户快速且方便地安装，并用适当的散热解决方案来降低设备在工作过程中的热量积聚，从而维持高效运行和延长使用寿命。
6. 总结
STF8NM50N N通道MOSFET 以其出色的电气性能、优越的温度适应能力和广泛的应用范围，成为各类高压高电流电路设计中的理想选择。无论是电源管理、电机控制，还是高频开关应用，STF8NM50N 都能够提供卓越的性能和可靠的解决方案，是电子设计工程师不可或缺的核心元器件之一。