注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFBF30PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.678g
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 900V 3.6A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.01按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.01
--
100+
￥5.93
--
1000+
￥5.65
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFBF30PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.7 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBF30PBF手册
无数据
IRFBF30PBF概述
产品概述：IRFBF30PBF N通道MOSFET
一、基本信息
IRFBF30PBF是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由著名的电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。它采用TO-220AB封装，专为高压和高功率应用而设计，适用于开关电源、逆变器、电机驱动等多种领域。
二、主要参数
- 漏源电压 (Vdss): IRFBF30PBF的最大漏源电压可达900V，允许其在高压环境中稳定运行，这使得它在电源管理和工业控制中的应用非常广泛。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下，该产品支持3.6A的连续漏极电流。其出色的电流承载能力可以满足多种电流需求的应用场合。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在10V的栅极驱动电压下，IRFBF30PBF在2.2A的电流条件下，最大导通电阻为3.7欧姆。较低的导通电阻减少了开关损耗，提高了整体效率。
- 栅极电压 (Vgs): 该元件的栅极驱动电压为10V，且其最大Vgs可处理高达±20V的电压变化，适用性强。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为4V @ 250µA，这一特性使得MOSFET在较低驱动电压下也能迅速进入导通状态。
- 输入电容 (Ciss): 在25V时的输入电容最大值为1200pF，允许其在快速开关操作中表现出色。
- 功率耗散 (Pd): IRFBF30PBF的最大功率耗散能力为125W，确保其能够在高负载情况下稳定运行。
- 工作温度范围: 具有极宽的工作温度范围，-55°C ~ 150°C，增强了在严苛环境下的可靠性。
三、封装与安装
IRFBF30PBF采用TO-220AB封装，其通孔设计便于散热，适合于高功率应用。该封装的特点使其在PCB上安装和布线都非常方便。同时，TO-220的金属底座有助于热量的快速散发，延长了元器件的使用寿命。
四、应用场景
由于其卓越的性能，IRFBF30PBF广泛应用于以下领域:
- 开关电源: 在各种电源转换器和适配器中，由于其高效率和低开关损耗性能，使其在高频控制方面具有优势。
- 逆变器: IRFBF30PBF可用于各种类型的逆变器中，无论是光伏逆变器还是电动车驱动逆变器，都能提供出色的功率转化效率。
- 电机驱动: 在电机控制应用中，其高电流和高电压能力使得该MOSFET成为驱动各类电机的理想选择。
五、总结
IRFBF30PBF N通道MOSFET凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度和极高的稳定性，成为高压与高功率应用中不可或缺的组件。无论是作为开关或是作为线性调节器，它都可以提供卓越的性能，确保系统的高效与可靠。选择IRFBF30PBF，您将获得更好的电力控制与管理解决方案。