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STP11NM60
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 160W 600V 11A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
10.5按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥10.5
--
100+
￥8.9
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP11NM60参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP11NM60手册
无数据
STP11NM60概述
STP11NM60 产品概述
简介
STP11NM60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道 MOSFET，专为高性能电源管理及开关应用而设计。它的高电压和电流承载能力使其成为工业、消费电子和汽车电子等广泛应用场景中的理想选择。
关键参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 650V
- 连续漏极电流 (Id): 11A（在热电流（Tc）条件下）
- 最大 Rds(on): 450毫欧（在 10V Vgs 和 5.5A Id 条件下）
- 栅极驱动电压 (Vgs): 10V
- 栅极电荷 (Qg): 30nC（在 10V 的 Vgs 条件下）
- 门阈电压 (Vgs(th)): 最大值 5V @ 250µA
- 输入电容 (Ciss): 1000pF（在 25V 条件下）
- 最大功率耗散: 160W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围: -65°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-220AB，适合通孔安装
应用领域
STP11NM60 的设计适用于多种电力电子设备。以下是一些主要应用领域：
- 开关电源（SMPS）: 由于其高效率和低导通电阻，STP11NM60 能够在开关电源中提供良好的性能，支持高频操作。
- DC/DC 转换器: 在多种 DC/DC 转换应用中，STP11NM60 的高开关速度和低导通损耗使其成为优选方案。
- 电机驱动: 常用于控制直流电动机和无刷电动机，提供卓越的驱动能力和准确的控制。
- 电源管理: 在各种电子设备中，作为高电压和高功率应用的开关组件，帮助实现高效的功率转换。
性能优势
STP11NM60 具有多项性能优势，使其在电子应用中脱颖而出：
- 高耐压: 650V 的漏源电压使其能够处理高电压应用，这在许多工业设备中是至关重要的。
- 低导通电阻: 450 毫欧的最大 Rds(on) 带来更低的导通损耗，提高了整体效率。
- 高功率处理能力: 最高可支持 160W 的功率耗散，适应各种要求苛刻的应用。
- 宽工作温度范围: 从 -65°C 到 +150°C 的宽广温度范围使其适用于极端的工作条件，增加了产品的可靠性。
封装与散热
STP11NM60 采用 TO-220AB 封装形式，设计上利于通孔安装，大大方便了散热管理和电路板布局。优秀的内部结构及隔热性能允许其在高功率操作下保持稳定的工作温度。
总结
STP11NM60 是一款高性能、高可靠性的 N 通道 MOSFET，适用于多种高压、高功率电源管理应用。其卓越的电气性能、耐压特性及优良的散热能力，使其在行业内获得了广泛的认可和应用。无论是开关电源、电动机驱动还是电源管理系统，STP11NM60 都展现出了其强大的适应能力和出色的电源转换效率，是现代电子设备中不可或缺的重要元器件之一。