STD4NK80Z-1
STD4NK80Z-1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 575pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STD4NK80Z-1手册
STD4NK80Z-1概述
STD4NK80Z-1 产品概述
概念简介
STD4NK80Z-1是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）制造，专为高压和高功率应用而设计。其主要特性包括800V的漏源电压、3A的连续漏极电流和能够承受高达80W的功率损耗，使其成为电源管理、逆变器、工业自动化和各种高电压开关应用的理想选择。
技术参数
STD4NK80Z-1的技术参数优异，确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。其漏源电压（Vdss）为800V，适合高电压电路的需要。该器件在25°C条件下的连续漏极电流为3A，确保了其在日常应用中的高效能。此外，其导通电阻（Rds On）在10V的驱动电压和1.5A的漏极电流下，最大为3.5Ω，提供了良好的功率损耗特性。
栅源电压与导通特性
STD4NK80Z-1的驱动电压可达±30V，设计上考虑了不触发及开关稳定性，特别是在高电压、高频率应用中。其栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为4.5V（@50µA），这是确保MOSFET高效导通和关断的关键参数。栅极电荷（Qg）的最大值为22.5nC（@10V），这一数值提供了良好的开关速度，使其在开关应用中表现出色。
性能与特性
STD4NK80Z-1的输入电容（Ciss）在25V时最大值为575pF，这一特性帮助降低开关损耗，提高开关频率。最高功率耗散为80W（在Tc条件下），使得该器件在高功率应用中能够有效散热，维持长期稳定运行。能够在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内运行，使其能够适应各种工业环境和应用。
封装与安装
该MOSFET采用TO-251-3短引线封装，呈现出良好的热分散性能且易于集成，适用于通孔安装。这种封装设计确保了器件的物理稳固性并为系统提供了高效的热管理方案。
应用领域
凭借其出色的参数，STD4NK80Z-1广泛应用于多个重要领域，包括但不限于：
- 开关电源：适用于开关电源模块，以实现高效的电能转换。
- 电机控制：在电机驱动应用中提高效率，提供稳定的驱动性能。
- 逆变器：满足高压输出需求的单相或三相逆变器设计。
- 照明系统：在LED驱动和高效照明系统中发挥重要作用，提供低功耗和高能效。
- 工业自动化：该MOSFET在需要高功率和高频开关的自动化设备中表现优异。
总结
STD4NK80Z-1是一款集高压、高电流和高功率处理能力于一体的N沟道MOSFET，其卓越的电气性能和适应环境使其成为多种应用的理想选择，通过在现代电力电子设计中结合使用，实现更高效的能源管理和更可靠的系统表现。无论是电源转换、马达驱动还是工业控制，该产品都具备足够的灵活性和强大的性能，能够满足严苛的使用需求。对于寻找可靠、高效、高性能解决方案的工程师而言，STD4NK80Z-1无疑是一个值得考虑的选择。