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STW15N80K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 190W 800V 14A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
62.06按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥62.06
--
10+
￥55.42
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW15N80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 375 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW15N80K5手册
无数据
STW15N80K5概述
STW15N80K5 产品概述
一、产品概述
STW15N80K5是一款高性能N沟道MOSFET，适用于高压及高电流应用领域。其主要特点包括额定漏源电压达800V，能够连续承载的漏极电流14A，以及在25°C环境温度下的低导通电阻。这种MOSFET非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高效率和高可靠性的电子设备中。
二、关键参数
- FET类型：N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：可承受高达800V的电压，适合于高压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时，最大连续漏极电流为14A，这使得该器件能够满足多种电流需求。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V栅源电压和7A电流下，其最大导通电阻为375毫欧，低导通电阻意味着器件在导通时的功耗小，有助于提高整体电源效率。
- 栅极电压（Vgs）：最大栅源电压为±30V，这为控制电路提供了灵活性和安全性。
- 输入电容（Ciss）：在100V时，其输入电容值最大为1100pF，表明其在高频开关操作中的良好特性。
- 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为190W，可以承受较大的热负荷，适应高功率应用。
- 工作温度范围：-55°C至150°C的宽温度范围使其能够在各种恶劣环境下工作。
三、应用领域
STW15N80K5适用于多种应用场景，包括：
- 开关电源：由于其高效率和低导通电阻，该MOSFET可以用作高频开关，实现高性能的电源转换。
- 逆变器：在光伏、风能等可再生能源系统中的逆变器电路中，该器件能够高效地处理电能转换。
- 电机驱动：适合用于伺服电机和步进电机控制系统，尤其是在高负载条件下。
- 电源调节模块：适用于DC-DC转换器及其他电源管理设备，能够提供稳定的输出。
四、优势特点
- 高效率：低导通电阻和宽工作温度范围使得STW15N80K5在高频和高电流条件下保持优良的效率，显著减少能量损耗。
- 可靠性：其宽广的工作温度范围以及较高的功率耗散能力，使该器件在各种应用环境中表现出色，且可延长设备的使用寿命。
- 易于驱动：10V的驱动电压稳定性使设计人员能够轻松集成该器件至他们的电路设计中，无需复杂的驱动方案。
- 优化设计：其TO-247封装设计提供了良好的散热能力，适合较大功率的应用，确保器件在高负载工作下不会过热。
五、总结
STW15N80K5是一款在高压和高电流应用中表现卓越的N沟道MOSFET，凭借其800V的漏源电压、14A的连续电流能力及出色的热管理性能，成为电源转换和电机驱动等领域的首选器件。无论是在开关电源、逆变器还是其他需要高效率的应用中，它的强大性能和可靠性均能够满足现代电子设计日益增长的需求。借助意法半导体的技术积累和创新，该产品为工程师提供了一个高质量的解决方案，有助于推动各类电子设备的智能化和高效化发展。