FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 690pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 25W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP5NK60ZFP 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产,专为高压功率转换和开关应用而设计。这款 MOSFET 具有优异的电气特性和稳定的工作性能,广泛应用于电源管理、逆变器、光伏系统和电机驱动等领域。
STP5NK60ZFP 的优异特性使其非常适合以下应用:
STP5NK60ZFP 的设计强调高效率和稳定性,使其在高电压应用中表现出色。这款 MOSFET 能够在高温下可靠工作,适合各种工业环境。其封装 TO-220FP 带来的良好散热性能,有助于降低热失控风险,并具有较高的抗干扰能力,保证在苛刻条件下的长期工作。
总之,STP5NK60ZFP 作为一款高电压 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围以及良好的热管理能力,成为众多高效能源管理方案和工业应用中的理想选择。通过对其特性的深入认识,设计工程师可以在应用中充分利用此元件的优势,从而实现更高的性能和更低的功耗。无论是电源设计师还是系统集成商,STP5NK60ZFP 都是一个值得信赖的选择。