STP8NK100Z
STP8NK100Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.85 欧姆 @ 3.15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 102nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2180pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP8NK100Z手册
STP8NK100Z概述
STP8NK100Z 产品概述
产品介绍
STP8NK100Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应管），它在多个高电压、高功率应用中表现出色。该器件具有高达 1000V 的漏源击穿电压（Vdss）和 6.5A 的连续漏极电流（Id），适合用于电力转换、电机驱动以及其他需要高耐压与高功率的电路应用中。
主要特性
高漏源电压：STP8NK100Z 的漏源电压（Vdss）达到 1000V，适用于高电压环境，确保在极端条件下的可靠性。
高连续漏极电流：在 25°C 的条件下，器件能够承受最大连续漏极电流 6.5A，而在极端的热条件下，其功率耗散可高达 160W，适合各种高功率应用。
低导通电阻：在栅极驱动电压 10V 时，STP8NK100Z 的最大导通电阻（Rds On）为 1.85Ω，这有助于降低在工作时的功率损耗，提高系统的工作效率。
高栅极阈值电压：该元件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.5V，使其可以在合理的驱动电压下正常工作。这一特性让设计师在选择驱动电路时更具灵活性。
快速开关特性：STP8NK100Z 的栅极电荷（Qg）为 102nC，这意味着它在开关操作中反应灵敏，有助于提高开关频率并降低开关损耗。
宽工作温度范围：该 MOSFET 可在 -55°C 到 150°C 之间稳定工作，保证其在各种环境条件下均能保持稳定的性能。
标准 TO-220 封装：STP8NK100Z 采用 TO-220AB 封装，适合于通孔安装，方便与散热器结合使用以管理热量，确保在高负载条件下的稳定工作。
应用场景
STP8NK100Z MOSFET 适用于多种高压和高功率的应用场景，包括但不限于：
- 电源转换器：可用于开关电源（SMPS）和其他电力电子设备中的主开关元件。
- 电机驱动：在工业控制和家用电器中，能够驱动各种电机和电动工具。
- 电动汽车：作为高电压电源管理和电池监控系统中的关键组件。
- 太阳能逆变器：在可再生能源系统中，负责将太阳能板产生的直流电转换为交流电，供电或并网使用。
总结
STP8NK100Z 是一款性能优异、应用广泛的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流承载能力和低导通电阻，非常适合用于电力电子及高功率应用。其宽工作温度范围和快速开关特性，使其成为设计师在高压应用中的理想选择。无论是在电源、电动机驱动还是在可再生能源的应用中，STP8NK100Z 提供了可靠的解决方案，帮助工程师实现高效、稳定的电力控制。