IRFP450APBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFP450APBF

商品编码: BM0000053757
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 190W 500V 14A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
942(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
10.18
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.18
--
10+
¥8.49
--
500+
¥8.08
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP450APBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)500V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)64nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2038pF @ 25V
功率耗散(最大值)190W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

IRFP450APBF手册

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IRFP450APBF概述

产品概述:IRFP450APBF N通道MOSFET

一、基本介绍

IRFP450APBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),该器件由知名制造商VISHAY(威世)出品,具有优异的导电特性,非常适用于高压开关、电源管理和其他高效能应用。该MOSFET的设计和制造在现代电子产品中广泛应用,特别是在电力电子、电动汽车和可再生能源等领域。

二、产品规格

IRFP450APBF具有如下核心参数:

  • 漏源电压(Vdss):500V,确保在高电压环境下的可靠工作。
  • 连续漏极电流(Id):14A(在Tc条件下),适合在较高负载电流的应用场景。
  • 最大Rds(on):在10V的栅源电压下,导通电阻最大为400毫欧,意味着在工作状态下可以较低的功率损耗。
  • Vgs(th)(门源阈值电压):最大值为4V,便于驱动电路实现精确控制。
  • 输入电容(Ciss):在25V时为2038pF,保证在频率较高的开关操作中能够快速响应。

此外,IRFP450APBF还提供了出色的栅极电荷特性,最大栅极电荷(Qg)为64nC,便于设计者优化驱动电路,降低开关损耗。

三、工作环境和封装

此MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C,使其适应各种严苛环境。IRFP450APBF采用TO-247-3封装,设计为通孔安装方式,便于PCB布局,提供了良好的散热性能,适合大功率应用。

四、应用领域

IRFP450APBF广泛应用于以下几个领域:

  1. 电源转换器:在开关电源和DC-DC转换器中,用于提高转换效率和功率密度。
  2. 电动汽车:用于电动驱动系统,尤其是逆变器和电池管理系统,确保系统的高效能和可靠性。
  3. 可再生能源:在太阳能逆变器中,IRFP450APBF能够有效地转换和调节能源,提高系统整体效率。
  4. 工业自动化:在电机驱动控制、负载切换和其他自动化设备中,用于提供高效能。

五、优势与特点

IRFP450APBF相比于传统元器件拥有更高的工作电压和更大的电流承载能力,尤其适合高效能和高频应用。导通电阻低,能够有效降低开关损耗,从而提高系统整体的能效。此外,其高温工作范围使其在各种极端环境下可靠运行,确保了最终产品的稳定性和安全性。

六、总结

综上所述,IRFP450APBF是一款功能强大的N通道MOSFET,凭借其高压、大电流、低导通电阻的特性,适合于多种高效能工业和消费电子应用。其优秀的热管理特性和广泛的工作环境适应性使它成为现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。无论是电源管理、电动汽车应用,还是工业自动化,IRFP450APBF都能为设计者提供高效、稳定的解决方案。