FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 1500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 欧姆 @ 1.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29.3nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 939pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
产品名称: STP3N150
器件类型: N 通道 MOSFET
封装类型: TO-220AB
供应商: 意法半导体 (STMicroelectronics)
STP3N150 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,广泛应用于高压和高电流的电子系统中,特别是在功率转换、开关电源、电机驱动以及各类工业控制应用中。该器件结合了高电压承受能力和较高的功率处理能力,能够满足多个行业领域的需求。
STP3N150 的高电压和电流特性使其成为多种工业和商用应用的理想选择:
STP3N150 采用 TO-220AB 封装,这种封装类型使得器件热传导良好,便于散热,适合高功率应用场景。通孔安装可以方便与电路板连接,加快装配效率。
STP3N150 是一款兼具高耐压、优良热性能和适合广泛应用的 N 通道 MOSFET。无论是在工业自动化领域、电源管理还是电机驱动,它都能提供卓越的性能。意法半导体凭借其强大的技术实力和丰富的行业经验,推出了这款高性能的 MOSFET,以满足多元化的市场需求。针对高压、高功率应用的需要,STP3N150 是您值得信赖的选择。