STP3N150 产品实物图片
STP3N150 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STP3N150

商品编码: BM0000053751
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 1.5kV 2.5A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
28.82
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥28.82
--
100+
¥25.73
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP3N150参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)1500V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)29.3nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)939pF @ 25V
功率耗散(最大值)140W(Tc)工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

STP3N150手册

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STP3N150概述

STP3N150 产品概述

产品名称: STP3N150
器件类型: N 通道 MOSFET
封装类型: TO-220AB
供应商: 意法半导体 (STMicroelectronics)

产品简介

STP3N150 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,广泛应用于高压和高电流的电子系统中,特别是在功率转换、开关电源、电机驱动以及各类工业控制应用中。该器件结合了高电压承受能力和较高的功率处理能力,能够满足多个行业领域的需求。

主要特性

  1. 高耐压性能: STP3N150 的漏源电压(Vds)达到1500V,使其适用于高压应用,具有良好的安全性和可靠性。
  2. 适中的电流能力: 在25°C 条件下,这款 MOSFET 的连续漏极电流(Id)为2.5A(在Tc环境下),可以有效驱动多个负载。
  3. 低导通电阻: 在10V的栅极驱动电压下,该器件的最大导通电阻(Rds(on))为9欧姆 @ 1.3A,确保设备在工作时的效率和热性能。
  4. 宽栅极电压范围: 最多可承受±30V的栅极电压(Vgs),这为设计带来了灵活性,可以在多种工作条件下提供稳定的性能。
  5. 低栅极电荷: 栅极电荷(Qg)最大值为29.3nC @ 10V,显示出该 MOSFET 在快速开关应用中的优越性能,有助于提高开关频率,减少开关损耗。
  6. 高输入电容: 最大的输入电容(Ciss)为939pF @ 25V,使得器件在高频操作时具有良好的稳定性和响应速度。
  7. 优越的热性能: 最大功率耗散达到140W,在适当的散热条件下,可以安全稳定地运行。
  8. 工作温度范围广: 产品的工作温度达到150°C,适合高温环境,增加了产品的适用性和耐用性。

应用领域

STP3N150 的高电压和电流特性使其成为多种工业和商用应用的理想选择:

  • 电源管理: 在开关电源和高效率电源转换中,能够有效降低能量损失,提高整体系统的效率。
  • 电机驱动: 在电动收割机、电动汽车控制等场合,可以作为驱动器控制电机的开关,提供高效的电流控制。
  • 照明控制: 在LED驱动、电光源等应用中,能够高效控制电流,优化亮度、节能效果。
  • 工业控制: 在工业自动化中,能够高效控制执行器、机器人等负载,提升生产效率。

封装与安装

STP3N150 采用 TO-220AB 封装,这种封装类型使得器件热传导良好,便于散热,适合高功率应用场景。通孔安装可以方便与电路板连接,加快装配效率。

总结

STP3N150 是一款兼具高耐压、优良热性能和适合广泛应用的 N 通道 MOSFET。无论是在工业自动化领域、电源管理还是电机驱动,它都能提供卓越的性能。意法半导体凭借其强大的技术实力和丰富的行业经验,推出了这款高性能的 MOSFET,以满足多元化的市场需求。针对高压、高功率应用的需要,STP3N150 是您值得信赖的选择。