IRFPC60LCPBF 产品实物图片
IRFPC60LCPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFPC60LCPBF

商品编码: BM0000053746
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
6.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 280W 600V 16A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
19.27
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥19.27
--
10+
¥16.61
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFPC60LCPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 9.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)120nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3500pF @ 25V
功率耗散(最大值)280W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

IRFPC60LCPBF手册

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IRFPC60LCPBF概述

产品概述:IRFPC60LCPBF N通道MOSFET

一、产品简介

IRFPC60LCPBF是VISHAY公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有出色的电气特性和强大的功率处理能力。该组件专为高压应用设计,漏源电压(Vds)高达600V,能够承受高电流(Id)连续工作,最大可达16A,适用于各种电子电路和电源管理模块。

二、主要参数

  1. 漏源电压(Vdss):600V

    • 这一高电压等级使得IRFPC60LCPBF能够在高压电力应用中广泛使用,比如开关电源、高压直流-直流转换器等。
  2. 连续漏极电流(Id):16A(在Tc条件下)

    • 在高温环境下依然能够稳定工作,有助于提升设备的可靠性。
  3. 驱动电压:10V

    • 对于最小导通电阻(Rds On)的最佳表现,10V的栅源电压即可满足需求。
  4. 导通电阻(Rds On):最大值400毫欧 @ 9.6A,10V

    • 低导通电阻意味着在开启状态下损耗较小,从而提高了能效,适用于高效能源转换场合。
  5. 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 250µA

    • 较低的栅极阈值电压使得该MOSFET适合与低电压控制电路搭配,确保良好的开关控制性能。
  6. 栅极电荷(Qg):最大120nC @ 10V

    • 这一特性影响开关速度及频率响应,适合高频应用。
  7. 输入电容(Ciss):最大3500pF @ 25V

    • 适合在高速开关应用中使用,能够减少开关时的信号失真。
  8. 功率耗散(最大值):280W(在Tc条件下)

    • 可以有效散热,支持高功率设备的需求,适应各种严苛环境。
  9. 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)

    • 广泛的温度适应性使其能够在严酷环境下稳定运行。
  10. 封装类型:TO-247-3

    • 通孔安装结构,使其适合多种PCB设计,便于热管理与散热。

三、应用场景

IRFPC60LCPBF N通道MOSFET非常适合用于:

  • 高压开关电源(SMPS)
  • 电动机驱动器
  • 电源管理系统
  • 逆变器和转换器
  • 工业设备的负载控制
  • LED驱动电路

四、产品优势

由于其低导通电阻和高耐压能力,IRFPC60LCPBF在减少能量损耗和增强系统效率方面表现出色。此外,其高功率耗散能力和广泛的工作温度范围,使其特别适合用于需要高可靠性和稳定性的工业应用。

五、总结

总之,IRFPC60LCPBF兼具高功率处理能力、低导通损耗和良好的热管理特性,使其成为许多高压应用的理想选择。随着越来越多高效能电子设备的普及,VISHAY的IRFPC60LCPBF可广泛适用于多种现代电子设计方案,确保设备性能优化与能效提升。无论是用于工业、汽车,还是消费电子领域,该MOSFET产品均可满足设计师对功率开关器件的各种要求。