IRFBF20PBF
IRFBF20PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 490pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 54W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBF20PBF手册
IRFBF20PBF概述
产品概述：IRFBF20PBF
一、产品简介
IRFBF20PBF 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），专为高效率、高可靠性和高功率应用而设计。其主要特性包括：能承受高达 900V 的漏源电压，连续漏极电流可达 1.7A，功率耗散能力为 54W，因此适用于需要对温度和电压承受能力有较高要求的各种电子电路。
二、主要参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：900V
- 连续漏极电流（Id）：1.7A（Tc = 25°C）
- 最大 Rds On：8Ω @ 1A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大 4V @ 250µA
- 栅极电压（Vgs）：最大 ±20V
- 栅极电荷（Qg）：38nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：490pF @ 25V
- 功率耗散（Pd）：54W（Tc 指标）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C (TJ)
- 封装类型：TO-220AB
- 安装方式：通孔
三、功能特点
IRFBF20PBF 的设计考虑了许多功能和性能方面的需求：
高电压和高电流承受能力：该器件适合于高电压应用，900V 的漏源电压使其能够轻松应对高压电路。而其1.7A的漏极电流表示其在实际应用中可以处理相当大的功率。
低导通电阻：在1A和10V的工作条件下，最大导通电阻仅8Ω，意味着在导通状态下能量损耗较小，有效提高系统的工作效率。
广泛的工作温度范围：能够在-55°C至150°C的范围内正常工作，IRFBF20PBF 利用其优秀的热稳定性和可靠性，在各种极端环境下均能平稳运行。
适合高频应用：低输入电容（Ciss）和较小的栅极电荷（Qg）使该MOSFET能够有效避免高频应用中的信号衰减，提高开关频率性能，适合开关电源等应用领域。
四、应用场景
IRFBF20PBF 的性能适合多种应用，包括但不限于以下几个领域:
- 开关电源：由于其高效能和高电压承受能力，广泛应用于各类开关电源设计。
- 电机驱动：可用于各种电机驱动电路，提供精确和高效的控制。
- 汽车电子：适合用于汽车电子电路中，包括电力转换和管理系统。
- 工业控制：可在自动化设备和工业控制系统中使用，以提供可靠的开关功能。
五、封装与安装
IRFBF20PBF 采用 TO-220AB 封装，便于通孔安装，适合在紧凑的PCB设计中使用。这种封装类型不仅提高了散热性能，还有助于简化与其他组件的电气连接。
六、总结
IRFBF20PBF 是一款高性能的N通道MOSFET，凭借其900V的漏源电压、低导通电阻、适合高温工作环境、以及良好的电流承受能力，成为许多电子设计工程师的可靠选择。它在开关电源、电机驱动和汽车电子等多个领域均有广泛应用，是高效功率管理系统的重要组成部分。通过采用 IRFBF20PBF，设计师可以大幅提升系统的效率和稳定性，满足现代高性能电子设备的需求。