STP38N65M5
STP38N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3000pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP38N65M5手册
STP38N65M5概述
STP38N65M5 产品概述
概述
STP38N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。凭借其卓越的电气特性和宽广的应用领域，这款 MOSFET 已成为工业、汽车及消费电子等多个领域的重要组件。STP38N65M5 的主要特点包括其650V 的漏源电压（Vdss）、30A 的连续漏极电流（Id）以及最大功率耗散达190W（Tc），使其在高压和大电流的应用中表现出色。
电气特性
漏源电压（Vdss）: STP38N65M5 的漏源电压最高可达650V，适合用在高压供电的电路中，比如开关电源和逆变器等。这一特性使得该产品能够可靠地承受在多种应用中可能出现的电压波动。
连续漏极电流（Id）: 在25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的最大连续漏极电流可达到30A。这使得 STP38N65M5 能够满足高功率应用的要求，确保在进行大电流传输时不会出现过热的问题。
导通电阻 (Rds(on)): STP38N65M5 在10V 驱动电压下，在15A 的电流条件下，最大导通电阻为95毫欧。较低的导通电阻带来了更小的功率损耗，提高了整体电路的效率。
开关特性: 该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）在10V 的栅源电压（Vgs）下最大值为71nC，这使得在高频开关应用中，开关损耗和驱动功耗得到优化。
阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA 的漏极电流下，Vgs(th) 的最大值为5V，这意味着 MOSFET 在较低的栅电压下就能够实现导通，这对于降低驱动电路的复杂性和成本是非常有利的。
温度与封装
STP38N65M5 的工作温度范围可高达150°C（TJ），适合在高温环境中使用。其采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能和可靠性，支持通孔安装方式，方便在多种电路板上安装和使用。TO-220 封装广泛应用于高电力设备中，其散热片的设计能够有效降低器件的温度，提高可靠性。
应用场景
STP38N65M5 适用于多种场合，包括但不限于：
- 开关电源: 高压和大电流的需求，使其成为开关电源设计中的理想选择。
- 逆变器: 在可再生能源系统（如太阳能和风能）中，该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电，支持大功率电力转换。
- 电机驱动: 在电机控制应用中，其优异的开关特性和导通电阻使得电机驱动更加高效。
- 汽车电子: 适用于汽车内高功率的开关电路，如电动机驱动、LED 驱动以及电源管理。
总结
STP38N65M5 是一款功能强大的 MOSFET，凭借其650V 的高漏源电压、优良的导通电阻及温度特性，广泛应用于工业和消费电子领域。它的设计考虑到高效散热和可靠性，符合现代高功率和高效率电子设备的需求。选择 STP38N65M5，将为设计提供更加稳定可靠的解决方案，同时助力提升整体系统的性能和效率。