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STP10NK80Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
3g
描述 :
场效应管(MOSFET) 190W 800V 9A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
9.8按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥9.8
--
100+
￥8.31
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP10NK80Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2180pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP10NK80Z手册
无数据
STP10NK80Z概述
STP10NK80Z 产品概述
一、产品简介
STP10NK80Z 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求。此器件具有最大漏源电压（Vdss）800V 和连续漏极电流（Id）9A，因此它非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动、以及其他高压高功率电子电路中。
二、主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 支持高达 800V 的漏源电压，使其能够在高压环境中可靠工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，其最大连续漏极电流可达 9A，提供了良好的电流处理能力。
- 导通电阻（Rds On）: 在 Vgs 为 10V、Id 为 4.5A 时，最大导通电阻为 900 毫欧，这显著降低了功率损耗，提高了整体效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 4.5V ( @ 100µA)，使其在给定电压下提供快速的开关响应。
- 栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 10V 时的最大栅极电荷为 72nC，这对于高频开关应用非常适合，因为较小的栅极电荷有助于减少开关延迟。
- 输入电容（Ciss）: 该器件在 25V 下的输入电容为 2180pF，影响开关速度和驱动能力。
- 功率耗散: 最大功率耗散能够达到 190W（在热栅源接触温度 Tc 下），使其能在高功率条件下稳健工作。
- 工作温度范围: STP10NK80Z 能够在 -55°C ~ 150°C 的广泛温度范围内操作，适用于极端环境条件。
三、物理特性
- 封装类型: 本器件采用 TO-220AB 封装，这种封装形式提供了良好的散热性能和机械强度，适合于要求较高的应用领域。
- 安装方式: 通孔安装设计使其容易集成到各种电路板上，支持提供稳定的电气连接。
四、适用场合
STP10NK80Z 适用于多个领域，主要应用包括：
- 开关电源: 由于其高电压和电流处理能力，适用于电源转换中作为开关元件。
- 电机驱动: 在电动机控制和变频驱动场合中，由于其快速开关和高效率的特性，广泛用于各类电机的驱动。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和其他能源转换器中，能有效转换和控制大功率流。
- 高压直流应用: 特别是在电力电子和高压电源系统中，能够安全高效地操作。
五、总结
STP10NK80Z 是一款强大的 N 通道 MOSFET，以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和优良的散热特性，在高压高功率电路中提供了优秀的解决方案。无论用于开关电源、电机驱动还是逆变器，该器件都表现出色，为开发高效且可靠的电子设计提供了理想的选择。随着技术的进步，STP10NK80Z 将继续在各个电子应用领域发挥重要作用，推动产品的持续创新与发展。