STF9N60M2

STF9N60M2 产品概述

产品名称: STF9N60M2
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
封装形式: TO-220-3

1. 产品概述

STF9N60M2是一款高性能N通道MOSFET，专门设计用于电力电子应用。其独特的电气特性使得它在高压和高电流的环境中表现出色。本器件的最大漏源电压（Vdss）为600V，连续漏极电流（Id）为5.5A，极大地拓宽了其在变换器、开关电源和马达驱动等领域的应用场景。

2. 关键技术参数

• 漏源电压 (Vdss): 600V
  本器件的高达600V的耐压能力，使其能够在包括高压源和汽车电子系统等严苛环境下正常工作，能够处理更高的电压，确保系统的安全与可靠性。

• 连续漏极电流 (Id): 5.5A @ Tc
  该MOSFET在25°C的情况下能够承受5.5A的连续电流，为用户提供了在不同负载条件下的稳定性和灵活性。

• 导通电阻 (Rds(on)): 780mΩ @ 10V, 3A
  高达780毫欧的导通电阻可以降低在运行时的功率损耗，以提高整体效率，尤其适用于对热管理有严格要求的应用。

• 驱动电压: 10V
  该器件最大导通所需的栅极驱动电压为10V，确保在绝大多数驾驶电路中均可便捷地使用。

• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
  该MOSFET的栅极阈值电压低至4V，保证了其可在较低的驱动电压下有效地开启，提高了驱动电路的设计灵活性。

• 栅极电荷 (Qg): 10nC @ 10V
  低栅极电荷意味着该器件能够以更快的速度开关，对高频开关应用非常有利，降低了开关损耗。

• 输入电容 (Ciss): 320pF @ 100V
  输入电容的设计保证了快速开关特性，适用于对响应速度有较高要求的应用场合。

• 功率耗散 (Pd): 20W
  本器件的功率耗散能力达到20W，保证在高负载条件下工作时仍具备良好的热稳定性。

• 工作温度: -55°C 至 +150°C
  其操作温度范围宽广，使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，适合高温、低温的工业应用环境。

3. 应用领域

STF9N60M2因其高电压、高电流及低导通电阻的特性，广泛适用于以下领域：

• 开关电源: 在AC-DC转换和DC-DC变换电路中，提供稳定的电力转换效率。
• 变频器: 适用于控制电机转速的各类驱动电路，实现高效能的电机控制方案。
• 电机驱动: 在各种工业和家电电机中提供高效的功率传输，保证良好的工作性能。
• 汽车电子: 在电动汽车和混合动力汽车中担任重要角色，例如在电力管理系统中控制电池供电。

4. 总结

STF9N60M2是意法半导体推出的一款高性能N通道MOSFET，以600V的高耐压和5.5A的高电流输出为设计基础，具备优良的导通电阻和快响应特性，使其在各类电源转换和驱动应用中表现卓越。其广泛的应用领域和出色的电气特性使得STF9N60M2成为数字电源设计、工业控制及汽车电子领域优秀的选择。对于设计师而言，该器件的特性为下一代电力电子系统提供了更多的设计灵活性和更高的能效。