STF5N80K5

STF5N80K5 产品概述

1. 产品简介

STF5N80K5 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）研发。该器件专为高压应用而设计，适用于各种工业和消费电子设备，提供优越的导电性能和灵活的操作特性。其额定的漏源电压高达 800V，额定的连续漏极电流为 4A，使其在复杂的应用场景下表现出色。

2. 主要参数

• FET 类型：N 通道
• 技术：MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 连续漏极电流 (Id)：4A @ 25°C
• 栅极驱动电压：最大导通电阻（Rds On）时驱动电压为 10V
• 导通电阻（Rds On）：最大值 1.75Ω @ 2A，10V
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值 5V @ 100µA
• 栅极电荷（Qg）：最大值 5nC @ 10V
• 最大 Vgs：±30V
• 输入电容（Ciss）：最大值 177pF @ 100V
• 功率耗散（Pd）：最大值 20W（Tc）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP

3. 应用领域

STF5N80K5 MOSFET 适合广泛的应用，包括但不限于：

• 电源管理：可在开关电源、电池管理系统及直流-直流变换器中使用，以提高能效。
• 电机控制：在电动机驱动器中，STF5N80K5 具有良好的耐压特性，使其能够在高电压条件下高效工作。
• 照明控制：适用于LED照明和灯具的驱动，确保稳定高效的功率转换。
• 热管理设备：在需要高功率和高效率的热管理系统中，STF5N80K5能提供稳定的性能，降低发热量。

4. 性能特征

STF5N80K5 的设计强调高效率与高可靠性。它具备低导通电阻的特性，使得在工作时能够实现优良的热管理并降低功耗。在高频应用场合，其小的栅极电荷特性确保了快速开关性能，这对提高整个系统的效率至关重要。

5. 热特性

该器件的额定功率耗散为 20W，使得它能够在不损害性能的情况下长时间运行。工作温度范围为 -55°C 到 150°C 提供了广泛的适应性，能够在各种环境下保持稳定的工作性能。

6. 封装和安装

STF5N80K5 采用 TO-220FP 封装，支持通孔安装，能够方便与适配电路板。TO-220 封装的设计能够有效散热，降低在高电流或高功率运行时产生的热量，从而延长器件的使用寿命。

7. 总结

STF5N80K5 MOSFET 是一款在高压应用中性能优越、结构紧凑且可靠性高的解决方案。其在各种电源管理、电机控制和照明设备中展现出色的性能，可以满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。由于意法半导体在半导体行业的卓越声誉和持续创新，STF5N80K5 将是工程师设计电路时的理想选材。对于需要高压、大电流处理的复杂应用，该MOSFET的选择将为系统带来显著的性能提升和稳定性保障。