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STF21N65M5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.4g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 650V 17A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.16按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.16
--
100+
￥11.75
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF21N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1950pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF21N65M5手册
无数据
STF21N65M5概述
产品概述：STF21N65M5 N沟道 MOSFET
一、概述
STF21N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。它具有高达650V的漏源电压（Vdss），为各种高压应用提供了良好的解决方案。其最大连续漏极电流（Id）为17A，适用于各种电源管理和开关转换器应用。
二、技术规格
漏源电压（Vdss）：650V
- 此特性让STF21N65M5能有效应对高电压环境，非常适合于变换器、电源开关和驱动电路等应用。
最大连续漏极电流（Id）：17A at Tc
- 高电流处理能力使得此器件能够适应高功率场景，有效满足工业、汽车和消费电子的需求。
导通电阻（Rds On）：190 毫欧 @ 8.5A，10V
- 低导通电阻有助于降低在开关状态下的功耗，确保高效率。
阈值电压（Vgs(th)）：5V @ 250µA
- 适度的阈值电压使其在标准驱动电压下易于工作。
栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V
- 适中的栅极电荷特性使得在不同切换速率下仍可保持高效切换，特别适合用于高频应用。
最大Vgs：±25V
- 此限制保证了器件在栅极驱动电压变化时的稳定性和安全性。
输入电容（Ciss）：1950pF @ 100V
- 适用于多种驱动电路，确保了缓冲过程中的效率。
功率耗散（Pd）：最大30W（Tc）
- 对热管理认真考虑，支持较高的功率操作。
工作温度：150°C（TJ）
- 高工作温度范围，让其在恶劣环境下也能稳定工作，增加了应用的广泛性。
封装类型：TO-220FP
- 通过标准的 TO-220 封装，方便散热和安装，并提供了持续的机械强度。
三、应用领域
STF21N65M5 的高压特性和高电流能力使其成为众多应用的理想选择，主要应用领域包括：
开关电源：在高频开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等领域中，能有效控制能量转换，提高系统效率。
电动汽车：可用于电动汽车的驱动和能量管理系统，尤其是在功率转换和电池管理方面。
工业设备：适用于电机驱动、机器人控制和工控自动化系统，以实现高效的能量传输。
消费电子：在高效充电器和电源适配器中，保证稳定的电力供应和高效能。
四、总结
STF21N65M5 是一款适合高压、高电流应用的 MOSFET，凭借其出色的电气特性和良好的热管理能力，在多种电子应用中展现了优越的性能。无论是工业设备、汽车电子，还是消费电子，STF21N65M5都能为设计师提供可靠解决方案，为实现高效电力管理和能量转换提供保障。通过合理的设计和运用，这款 MOSFET 将帮助用户提升产品的性能特色，适应未来的市场需求。