IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF 产品概述

概述

IRFP21N60LPBF是一款高性能的N通道MOSFET（场效应晶体管），专为高电压、高效率的开关应用而设计。该器件能以高达600V的漏源电压（Vdss）和峰值电流21A（在25°C环境温度下的连续漏极电流）进行运行，适合各种功率转换及驱动系统应用。

技术参数

1. FET类型与构造

   • FET类型：N通道，采用MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）技术。
   • 具有优异的电流传导能力和开关特性，适合高频率和高功率的应用场景。

2. 电气特性

   • 漏源电压（Vdss）：600V，支持高电压应用，广泛应用于电源保护、变频器及其他涉及高电压的电路设计中。
   • 连续漏极电流（Id）：21A @ 25°C，能够满足多数需要高电流承载的应用需求。
   • 电流脉冲（Idm）：最大为84A，高脉冲电流承载能力，为瞬态性能提供了良好保障。
   • 功率耗散：最大330W（在冷却条件下），确保其在大功率应用中能够有效散热，维持稳定的工作状态。

3. 导通电阻与门极驱动

   • 最大Rds(on)：320毫欧 @ 13A，10V，具有较低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。
   • 驱动电压：控制电压可在10V范围内进行调节，为设计者提供灵活性，便于配合不同控制电路进行优化设计。
   • 栅极电荷（Qg）：最大150nC @ 10V，适合快速开关应用，同时降低了所需的驱动功率。

4. 阈值电压（Vgs(th)）

   • 最大值为5V @ 250µA，确保MOSFET能稳定进入导通状态，便于设计者优化信号驱动。

5. 工作温度与散热

   • 工作温度范围广：-55°C ~ 150°C（TJ），适合在严苛环境下应用。这使得IRFP21N60LPBF能够用于工业自动化、汽车电子等领域。

6. 封装与安装

   • 封装类型为TO-247-3，通孔设计有助于简化制造和安装过程，便于散热器的附加，保证良好的散热性能。

7. 输入电容

   • 输入电容（Ciss）最大值为4000pF @ 25V，提供了足够的电容值以保持较高开关频率的稳定性和效率。

应用领域 IRFP21N60LPBF广泛应用于诸如：

• 高频开关电源
• 变频器
• DC-DC转换器
• 电动机驱动器
• 逆变器
• 高频发射及无线电通信

总结 通过其强大的电气特性、宽广的工作温度范围和优秀的热管理能力，IRFP21N60LPBF是一款理想的N通道MOSFET，旨在支持高电压和高电流的应用。在现代电子设计中，特别是在需要高效能和可靠性的功率控制及转换环境中，这款产品必将为工程师提供强有力的支持及优越的性能表现。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，IRFP21N60LPBF都是一个极具吸引力的选择。