IRFPC60PBF
IRFPC60PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 9.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 210nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3900pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 280W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFPC60PBF手册
IRFPC60PBF概述
IRFPC60PBF 产品概述
一、概述
IRFPC60PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），由VISHAY（威世）品牌制造。该器件设计用于高电压和高电流应用，具备卓越的导通能力和热管理特性，非常适合用于电源转换、功率放大、马达驱动及射频应用等多种场合。这款器件的主要性能指标非常出色，能够在严苛的环境下稳定工作。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 600V，适用于高电压的应用场合，如电力电子和直流变换器等。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，该器件的最大连续漏极电流为 16A，这意味着它可以承受较高的电流负荷，适应各种电流要求的负载。
导通电阻（Rds(on）: 在 Vgs 为 10V、Id 为 9.6A 下，最大导通电阻为 400 毫欧，显示了该器件在导通时的低损耗特性，有助于提高整体电路的效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 4V @ 250µA，确保 MOSFET 能够在较低的栅极电压下开始导通。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 210nC @ 10V，表明快速开关特性，有助于提高开关频率，并降低开关损耗。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 3900pF @ 25V，适合于高频应用的电路设计。
功率耗散: 最大功率耗散为 280W（Tc），使其能够在高功率应用中有效散热，保持稳定的工作状态。
工作温度范围: 工作温度从 -55°C 到 150°C，展现了器件在极端温度条件下的可靠运行能力。
封装: 采用 TO-247-3 封装，方便焊接和散热，也适合在较为复杂的电路板上进行安装。
三、应用领域
IRFPC60PBF 适用于广泛的行业和应用，主要包括：
- 电源供应: 该器件能够适合高电压及高功率的开关电源，提升整体转换效率。
- 逆变器: 在太阳能控制器和风能转换系统中，作为逆变器组件发挥关键作用。
- 马达控制: 可用于电动机驱动电路，提供高效的电流控制。
- 工业设备: 适合在许多工业设备中作为开关元件，控制负载并提升整体能效。
- 汽车电子: 在电动汽车及混合动力汽车中，作功率管理与电源转换等用途。
四、总结
IRFPC60PBF 是一款性能优异的 N 通道 MOSFET，具备高电压和高电流处理能力，适合各种电子应用的需求。它的低导通电阻和广泛的工作温度范围使其在严苛条件下依然表现出色，适合用于电源转换、马达控制和其他高效能要求的场合。随着科技进步和应用领域的不断拓展，IRFPC60PBF 将继续作为可靠的电子元器件，在电力和电子工程行业中发挥重要作用。